使用磁扇形或四极杆质谱仪对样品表面进行深度剖析的技术。可分析元素分布和离子流，适用于材料表面研究。
| 标准号 & 类别 | 标准名称 | 发布 |
|---|---|---|
| AS ISO 17560:2006 试验 |
表面化学分析．次级离子质谱测量法．硅中注入硼的深度分布分析法 Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of boron in silicon
相对灵敏度因子 |
2006-1-1 澳大利亚标准协会 |
| AS ISO 18114:2006(R2016) 试验标准 |
表面化学分析 次级离子质谱法 植入离子的参考材料的相对灵敏系数的测定 Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Determination of relative sensitivity factors from ion-implanted reference materials
相对灵敏度因子 |
2016 澳大利亚标准协会 |
| ASTM E1162-11 Practice |
报告次级离子质谱分析法(SIMS)中溅深深度文件数据的标准操作规程 Standard Practice for Reporting Sputter Depth Profile Data in Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)
|
2011 美国材料与试验协会 |
| ASTM E1438-06 Guide |
用次级离子质谱法(SIMS)测量深度掺杂分布界面宽度标准指南 Standard Guide for Measuring Widths of Interfaces in Sputter Depth Profiling Using SIMS
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2006 美国材料与试验协会 |
| ASTM E1438-11 Guide |
Standard Guide for Measuring Widths of Interfaces in Sputter Depth Profiling Using SIMS
|
2011 美国材料与试验协会 |
| ASTM E1504-11 Practice |
Standard Practice for Reporting Mass Spectral Data in Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)
|
2011 美国材料与试验协会 |
| ASTM E1504-11(2019) 规范 |
Standard Practice for Reporting Mass Spectral Data in Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)
|
2019-11-01 美国材料与试验协会 |
| ASTM E1635-06(2019) 规范/Practice |
Standard Practice for Reporting Imaging Data in Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)
|
2019-11-01 美国材料与试验协会 |
| ASTM E1880-06 Practice |
用次级离子质谱法(SIMS)进行组织低温截面分析的标准实施规程 Standard Practice for Tissue Cryosection Analysis with SIMS
|
2006 美国材料与试验协会 |
| ASTM E1880-12 Practice |
用次级离子质谱法 (SIMS) 进行组织低温截面分析的标准实施规程 Standard Practice for Tissue Cryosection Analysis with SIMS
|
2012 美国材料与试验协会 |
| ASTM E1881-06 Guide |
Standard Guide for Cell Culture Analysis with SIMS
细胞培养 |
2006 美国材料与试验协会 |
| ASTM E1881-12 Guide |
Standard Guide for Cell Culture Analysis with SIMS
|
2012 美国材料与试验协会 |
| ASTM F1617-98(2002) 试验/规范 |
通过二次离子质谱法测量硅及其外延基材表面钠、铝、钾和铁的标准测试方法 Standard Test Method for Measuring Surface Sodium, Aluminum, Potassium, and Iron on Silicon and EPI Substrates by Secondary Ion Mass Spectrometry
|
1998-07-01 美国材料与试验协会 |
| ASTM STP 643-1978(1986) 试验 |
Quantitative surface analysis techniques
Auger电子能谱 X射线光电子能谱 |
1986 美国材料与试验协会 |
| ASTM STP 699-1980 规范/指南 |
Applied Surface Analysis
电子显微镜 |
1980-02 美国材料与试验协会 |
| BS ISO 17560:2014 试验标准 |
Surface chemical analysis. Secondary-ion mass spectrometry. Method for depth profiling of boron in silicon
硅 硼 |
2014-09-30 英国标准学会 |
| BS ISO 20411:2018 试验标准 |
表面化学分析 二次离子质谱分析 单离子计数动态二次离子质谱饱和强度校正方法 Surface chemical analysis. Secondary ion mass spectrometry. Correction method for saturated intensity in single ion counting dynamic secondary ion mass spectrometry
|
2018-03-31 英国标准学会 |
| DIN ISO 18115-1 E:2016-09 术语标准 |
Surface chemical analysis - Vocabulary - Part 1: General terms and terms used in spectroscopy
X射线光电子能谱 俄歇电子能谱 |
2016-09 德国标准化学会 |
| DIN ISO 18115-1:2017-07 术语 |
Surface chemical analysis – Vocabulary – Part 1: General terms and terms used in spectroscopy
俄歇电子能谱 |
2017-07-01 德国标准化学会 |
| GB/T 25186-2010 试验 |
表面化学分析.二次离子质谱.由离子注入参考物质确定相对灵敏度因子 Surface chemical analysis.Secondary-ion mass spectrometry.Determination of relative sensitivity factors from ion-implanted reference materials
相对灵敏度因子 |
2010-09-26 国家市场监督管理总局 |
| GB/T 30815-2014 规范/指南 |
Surface chemical analysis.Guidelines for preparation and mounting of specimens for analysis
X射线光电子能谱 俄歇电子能谱 |
2014-06-24 国家市场监督管理总局 |
| ISO 12406:2010 试验 |
Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of arsenic in silicon
深度剖析 相对灵敏度因子 |
2010-11-15 国际标准化组织 |
| ISO 17560:2014 试验 |
表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 硅在硅中深度分析的方法 Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of boron in silicon
硅 硼 |
2014-09-10 国际标准化组织 |
| ISO 18114:2003 试验 |
表面化学分析.次级离子质谱法.测定离子注入标样中的相对灵敏度系数 Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Determination of relative sensitivity factors from ion-implanted reference materials
相对灵敏度因子 |
2003-04 国际标准化组织 |
| ISO 23812:2009 试验 |
表面化学分析 次级离子质谱测定法 使用多δ层参考材料的硅深度校准方法 Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth calibration for silicon using multiple delta-layer reference materials
|
2009-04 国际标准化组织 |
| ISO/TS 22933:2022 |
表面化学分析.二次离子质谱法.模拟离子质谱中质量分辨率的测量方法 Surface chemical analysis — Secondary ion mass spectrometry — Method for the measurement of mass resolution in SIMS
|
2022-04-01 国际标准化组织 |
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