美利体育登录入口官网:ISO 23812:2009
表面化学分析 次级离子质谱测定法 使用多δ层参考材料的硅深度校准方法
Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth calibration for silicon using multiple delta-layer reference materials
- 标准号
- ISO 23812:2009
- 发布
- 2009年
- 国际标准分类(ICS)
- 71.040.40 化学分析
- 总页数
- 26页
- 发布单位
- 国际标准化组织
- 当前最新
- ISO 23812:2009
- 引用标准
- ISO 18115 ISO 20341
- 本体
- 二次离子质谱
- 适用范围
- 本国际标准规定了一种使用多层δ层参考材料在硅的二次离子质谱（SIMS）深度剖析中，对小于50 nm深的浅层区域进行深度标定的程序。本国际标准不适用于溅射速率未达到稳态的表面瞬变区域。本国际标准适用于单晶硅、多晶硅和非晶硅。
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| 二次离子质谱仪 | 用于测量多层δ层参考材料和测试样品的深度剖面的仪器，需根据制造商说明或本地文件程序设置分析条件。 |