深度剖析是一种测量技术，通过记录发射强度随时间的变化或使用不同方法（如离子溅射、角度研磨等），确定材料中元素浓度随深度变化的分布情况。该技术用于分析材料表面及以下区域的成分分布状况，从而获取样品组分沿深度方向的变化信息。
| 标准号 & 类别 | 标准名称 | 发布 |
|---|---|---|
| ASTM E1127-03 Guide |
Standard Guide for Depth Profiling in Auger Electron Spectroscopy
俄歇电子能谱 |
2003 美国材料与试验协会 |
| ASTM E1127-08(2015) Guide |
Standard Guide for Depth Profiling in Auger Electron Spectroscopy
俄歇电子能谱 |
2008 美国材料与试验协会 |
| ASTM E1127-24 规范 |
Standard Guide for Depth Profiling in Auger Electron Spectroscopy
|
2024-10-01 美国材料与试验协会 |
| BS DD ISO/TS 15338:2009 指南标准 |
Surface chemical analysis - Glow discharge Mass spectrometry (GD-MS) - Introduction to use
相对灵敏度因子 辉光放电质谱仪 |
2009-08-31 英国标准学会 |
| BS ISO 13424:2013 规程标准 |
Surface chemical analysis. X-ray photoelectron spectroscopy. Reporting of results of thin-film analysis
X射线光电子能谱 |
2013-10-31 英国标准学会 |
| BS ISO 14707:2021 指南标准 |
Surface chemical analysis. Glow discharge optical emission spectrometry (GD-OES). Introduction to use
辉光放电光学发射光谱法 |
2021-03-12 英国标准学会 |
| BS ISO 16531:2020 试验标准 |
表面化学分析 深度剖析 离子束对准方法以及 AES 和 XPS 中深度分析的电流或电流密度的相关测量方法 Surface chemical analysis. Depth profiling. Methods for ion beam alignment and the associated measurement of current or current density for depth profiling in AES and XPS
|
2020-10-31 英国标准学会 |
| DIN ISO 14707 E:2017-09 指南标准 |
Surface chemical analysis - Glow discharge optical emission spectrometry (GD-OES) - Introduction to use
|
2017-09 德国标准化学会 |
| ISO 12406:2010 试验 |
Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of arsenic in silicon
二次离子质谱 相对灵敏度因子 |
2010-11-15 国际标准化组织 |
| JIS K 0144:2001 指南标准 |
表面化学分析.辉光放电发射光谱测定法(GD-OES).使用说明 Surface chemical analysis -- Glow discharge optical emission spectrometry (GD-OES) -- Introduction to use
辉光放电光学发射光谱法 |
2001-04-20 日本工业标准调查会 |
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