美利体育登录入口官网:ISO 12406:2010
表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of arsenic in silicon
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- 标准号
- ISO 12406:2010
- 发布
- 2010年
- ICS
-
71.040.40
- 总页数
- 20页
- 发布单位
- 国际标准化组织
- 当前最新
- ISO 12406:2010
- 引用标准
- ISO 14237:2010 ISO 18114:2003 ISO 18115-1
- 本体
- 二次离子质谱 深度剖析 相对灵敏度因子
本国际标准规定了使用扇形磁质谱仪或四极杆质谱仪对硅中砷进行深度分析的二次离子质谱方法，并使用触针轮廓测量法或光学干涉测量法进行深度校准。 该方法适用于砷原子浓度在 1 × 1016 原子/cm3 至 2.5 × 1021 原子/cm3 之间的单晶、多晶或非晶硅样品，以及坑深度为 50 nm 或更深的样品。
美利体育登录入口官网: ISO 12406:2010 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| 二次离子质谱仪 磁扇区或四极杆质谱仪 | 用于对硅中砷进行深度剖析，通过扫描铯离子束或氧离子束，分析溅射出的砷和硅的二次离子。 |
| 光学干涉仪 具有适合测量凹坑形状灵敏度和功能的光学干涉仪 | 用于测量凹坑深度，作为深度尺度校准的另一种方法，适用于 0.2 微米至 5 微米的凹坑深度范围。 |
| 触针式轮廓仪 具有适合测量凹坑形状灵敏度和针尖形状的轮廓仪 | 用于测量离子束形成的凹坑深度，以进行深度尺度校准。 |