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美利体育登录入口官网:GB/T 43885-2024
碳化硅外延片

Silicon carbide epitaxial wafer

GBT43885-2024, GB43885-2024

正版授权中国标准出版社正式授权销售可通过授权方官方渠道验证

标准号
GB/T 43885-2024
别名
GBT43885-2024, GB43885-2024
发布
2024年
国际标准分类(ICS)
29.045 半导体材料   
总页数
15页
发布单位
国家市场监督管理总局
当前最新
GB/T 43885-2024
 
 
引用标准
GB/T 14146 GB/T 14264 GB/T 19921 GB/T 2828.1 GB/T 29505 GB/T 30656 GB/T 32278 GB/T 39145 GB/T 42902 GB/T 42905 GB/T 6624 YS/T 28
 
 
本体
载流子浓度
适用范围
本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于在导电型碳化硅衬底上,生长碳化硅同质外延层的外延片,产品用于制作碳化硅电力电子器件。
术语描述
载流子浓度
Carrier Density
描述材料中每单位体积内的自由电荷载体数量。
层错密度
Dislocation Density
晶体结构中的层间滑移缺陷,影响材料的电子特性。
基平面位错密度
Basal Plane Dislocation Density
沿基面方向的晶格位错密度,常见于碳化硅外延层中。

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