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美利体育登录入口官网:GB/T 43885-2024
碳化硅外延片

Silicon carbide epitaxial wafer

GBT43885-2024, GB43885-2024

正版授权中国标准出版社正式授权销售可通过授权方官方渠道验证

美利体育登录入口官网: GB/T 43885-2024 发布历史

GB/T 43885-2024由国家市场监督管理总局 国家标准化管理员会 CN-GB 发布于 2024-04-25,并于 2024-11-01 实施。

GB/T 43885-2024 在中国标准分类中归属于: H83 化合物半导体材料,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

GB/T 43885-2024 碳化硅外延片的最新版本是哪一版?

最新版本是 GB/T 43885-2024 。

标准号
GB/T 43885-2024
发布时间
2024
标准名称
碳化硅外延片
发布机构
国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
编制依据
GB/T 1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》
专利声明(未识别专利)
本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
提出和归口信息
全国半导体美利体育官网首页网址和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)与全国半导体美利体育官网首页网址和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)
起草信息
南京国盛电子有限公司、广东天域半导体股份有限公司、上海天岳半导体材料有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中电化合物半导体有限公司、上:暇Ч璨牧瞎煞萦邢薰、江苏华兴激光科技有限公司、杭州乾晶半导体有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、浙江晶睿电子科技有限公司、宁波合盛新材料有限公司、沈阳星光技术陶瓷有限公司、深圳基本半导体有限公司、海迪科(南通)光电科技有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、连科半导体有限公司。主要起草人:李国鹏、仇光寅、刘勇、骆红、李素青、丁雄杰、舒天宇、余宗静、冯淦、杨玉聪、王银海、侯晓蕊、薛宏伟、刘红超、金向军、尚海波、刘薇、王岩、徐所成、李毕庆、陈浩、袁肇耿、周勋、刘长春、汪之涵、黄勤金、赵丽丽、胡动力、和巍巍。

GB/T 43885-2024 发布之时,引用了标准

  • GB/T 14146 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
  • GB/T 14264 半导体材料术语
  • GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
  • GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
  • GB/T 29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
  • GB/T 30656 碳化硅单晶抛光片
  • GB/T 32278 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法*, 2025-08-01 更新
  • GB/T 39145 硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
  • GB/T 42902 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
  • GB/T 42905 SiC外延层厚度测量:红外反射法*, 2026-09-11 更新
  • GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
  • YS/T 28 硅片包装和标志*, 2024-10-24 更新

* 在 GB/T 43885-2024 发布之后有更新,请注意新发布标准的变化。

GB/T 43885-2024的历代版本如下:

 

本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于在导电型碳化硅衬底上,生长碳化硅同质外延层的外延片,产品用于制作碳化硅电力电子器件。

术语描述
载流子浓度
Carrier Density
描述材料中每单位体积内的自由电荷载体数量。
层错密度
Dislocation Density
晶体结构中的层间滑移缺陷,影响材料的电子特性。
基平面位错密度
Basal Plane Dislocation Density
沿基面方向的晶格位错密度,常见于碳化硅外延层中。

GB/T 43885-2024

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标准号
GB/T 43885-2024
别名
GBT43885-2024
GB43885-2024
发布
2024年
ICS
29.045
总页数
15页
发布单位
国家市场监督管理总局
当前最新
GB/T 43885-2024
 
 
引用标准
GB/T 14146 GB/T 14264 GB/T 19921 GB/T 2828.1 GB/T 29505 GB/T 30656 GB/T 32278 GB/T 39145 GB/T 42902 GB/T 42905 GB/T 6624 YS/T 28
 
 
本体
载流子浓度

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