载流子浓度是半导体中可参与导电的带电粒子（电子或空穴）的浓度，单位体积内自由电子和空穴的数量总和，是评估半导体材料性能的关键参数，通过掺杂技术进行控制，决定材料的导电性能。
| 标准号 & 类别 | 标准名称 | 发布 |
|---|---|---|
| ASTM F398-92(2002) 试验/测试方法 |
通过测量等离子体共振最小值的波数或波长测定半导体中多数载流子浓度的标准测试方法 Standard Test Method for Majority Carrier Concentration in Semiconductors by Measurement of Wavenumber or Wavelength of the Plasma Resonance Minimum
半导体 |
1992-05-15 美国材料与试验协会 |
| GB/T 11068-2006 试验 |
Gallium arsenide epitaxial layer.Determination of carrier concentration voltage-capacitance method
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2006-07-18 国家市场监督管理总局 |
| GB/T 11071-2018 规范/试验方法 |
Zone-refined germanium ingot
|
2018-12-28 国家市场监督管理总局 |
| GB/T 30856-2014 试验 |
GaAs substrates for LED epitaxial chips
|
2014-07-24 国家市场监督管理总局 |
| GB/T 36705-2018 试验 |
Test method for carrier concentration of gallium nitride substrates—Raman spectrum method
拉曼光谱 |
2018-09-17 国家市场监督管理总局 |
| GB/T 43885-2024 试验 |
Silicon carbide epitaxial wafer
|
2024-04-25 国家市场监督管理总局 |
| GB/T 8757-2006 试验 |
Determination of carrier concentration in gallium arsenide by the plasma resonance minimum
|
2006-07-18 国家市场监督管理总局 |
| HJB 10342-2021 规范 |
Specification for polished monocrystalline indium antimonide wafers
位错密度 |
2021 行业标准-环保 |
| IEC TS 62607-5-3:2020 试验 |
纳米制造关键控制特性第5-3部分:薄膜有机/纳米电子器件电荷载流子浓度的测量 Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 5-3: Thin-film organic/nano electronic devices – Measurements of charge carrier concentration
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2020-04-14 国际电工委员会 |
| IEC TS 62607-6-16:2022 试验标准 |
纳米制造.关键控制特性.第6-16部分:二维材料.载流子浓度:场效应晶体管法 Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 6-16: Two-dimensional materials - Carrier concentration: Field effect transistor method
二维材料 场效应晶体管 |
2022-11-17 国际电工委员会 |
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