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美利体育登录入口官网:ASTM E1162-11(2019)
二次离子质谱法（SIMS）中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程

Standard Practice for Reporting Sputter Depth Profile Data in Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)


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标准号
ASTM E1162-11(2019)
发布
2019年
ICS
71.040.50
总页数
3页
当前最新
ASTM E1162-11(2019)
 
 
引用标准
ASTM E673
 
 
本体
二次离子质谱法

本文件规定了描述和报告二次离子质谱（SIMS）溅射深度剖面分析所需的信息，涵盖仪器参数、试样参数、实验条件及数据归一化程序。该实践适用于采用多种初级束激发条件、质量分析、数据采集及处理技术获得的常规溅射深度剖面，其中信息为分析平面内区域的平均值。本文件不适用于具备面内空间分辨能力的离子微探针或显微镜技术，例如图像深度剖面分析。文件中所有数值均采用国际单位制（...

二次离子质谱法 Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)
溅射深度剖面 Sputter Depth Profile

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