二次离子质谱法是一种表面化学分析技术,利用高能离子束(如氧离子或铯离子)轰击样品表面,产生二次离子并送入质谱仪分析其质荷比和强度。该技术可提供样品表面及近表面区域的元素组成、浓度和深度分布信息。具有高灵敏度,适用于半导体中硼浓度的测定、材料表面污染物美利体育登录入口官网以及深度剖面分析等领域。是固体表面科学中不可或缺的定量与定性方法。
| 标准号 & 类别 | 标准名称 | 发布 |
|---|---|---|
| AS ISO 14237:2006 试验 |
表面化学分析.次级离子质谱测量法.使用均一的绝缘材料测定硅中的硼原子浓度 Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Determination of boron atomic concentration in silicon using uniformly doped materials
认证参考材料 |
2006-1-1 澳大利亚标准协会 |
| ASTM E1162-11(2019) |
二次离子质谱法(SIMS)中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程 Standard Practice for Reporting Sputter Depth Profile Data in Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)
|
2019-11-01 美国材料与试验协会 |
| BS ISO 12406:2010 试验标准 |
Surface chemical analysis. Secondary-ion mass spectrometry. Method for depth profiling of arsenic in silicon
硅 |
2010-11-30 英国标准学会 |
| BS ISO 14237:2010 试验标准 |
表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度 Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Determination of boron atomic concentration in silicon using uniformly doped materials
参考材料 |
2010-08-31 英国标准学会 |
| BS ISO 18114:2021 试验标准 |
表面化学分析 二次离子质谱 离子注入参考材料的相对灵敏度因子的测定 Surface chemical analysis. Secondary-ion mass spectrometry. Determination of relative sensitivity factors from ion-implanted reference materials
相对灵敏度因子 |
2021-06-24 英国标准学会 |
| GB/T 24575-2009 试验方法 |
硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱美利体育登录入口官网方法 Test method for measuring surface sodium, aluminum, potassium, and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry
硅片 |
2009-10-30 国家市场监督管理总局 |
| ISO 14237:2010 试验 |
表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度 Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Determination of boron atomic concentration in silicon using uniformly doped materials
参考材料 |
2010-07 国际标准化组织 |
| JC/T 3044-2026 试验 |
Determination of boron doping content in diamond film—Secondary ion mass spectrometry
|
20-XX-XX 行业标准-建材 |
| JIS K 0143:2000 试验 |
表面化学分析.次级离子质谱法.利用均匀掺杂材料测定硅中硼原子浓度 Surface chemical analysis -- Secondary ion mass spectrometry -- Determination of boron atomic concentration in silicon using uniformly doped materials
认证参考物质 |
2000-07-20 日本工业标准调查会 |
| JIS K 0155:2025 试验 |
表面化学分析 二次离子质谱 单离子计数飞行时间质谱仪中强度标尺的线性度 Surface chemical analysis-Secondary ion mass spectrometry-Linearity of intensity scale in single ion counting time-of-flight mass analysers
|
2025-05-20 日本工业标准调查会 |
| SJ/T 11493-2015 试验 |
Test method for measuring nitrogen concentration in silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
|
2015-04-30 行业标准-电子 |
| SJ/T 11498-2015 试验 |
Test method for measuring oxygen contamination in heavily doped silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
氧浓度 |
2015-04-30 行业标准-电子 |
Copyright ?2007-2026 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号
页面更新时间: 2026-09-07 19:55