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美利体育登录入口官网:二次离子质谱法

二次离子质谱法是一种表面化学分析技术,利用高能离子束(如氧离子或铯离子)轰击样品表面,产生二次离子并送入质谱仪分析其质荷比和强度。该技术可提供样品表面及近表面区域的元素组成、浓度和深度分布信息。具有高灵敏度,适用于半导体中硼浓度的测定、材料表面污染物美利体育登录入口官网以及深度剖面分析等领域。是固体表面科学中不可或缺的定量与定性方法。


二次离子质谱法有关的标准

标准号 & 类别标准名称发布
AS ISO 14237:2006
试验

表面化学分析.次级离子质谱测量法.使用均一的绝缘材料测定硅中的硼原子浓度

Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Determination of boron atomic concentration in silicon using uniformly doped materials


认证参考材料 

2006-1-1
澳大利亚标准协会
ASTM E1162-11(2019)

二次离子质谱法(SIMS)中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程

Standard Practice for Reporting Sputter Depth Profile Data in Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)

2019-11-01
美国材料与试验协会
BS ISO 12406:2010
试验标准

表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法

Surface chemical analysis. Secondary-ion mass spectrometry. Method for depth profiling of arsenic in silicon


 

2010-11-30
英国标准学会
BS ISO 14237:2010
试验标准

表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度

Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Determination of boron atomic concentration in silicon using uniformly doped materials


参考材料 

2010-08-31
英国标准学会
BS ISO 18114:2021
试验标准

表面化学分析 二次离子质谱 离子注入参考材料的相对灵敏度因子的测定

Surface chemical analysis. Secondary-ion mass spectrometry. Determination of relative sensitivity factors from ion-implanted reference materials


相对灵敏度因子 

2021-06-24
英国标准学会
GB/T 24575-2009
试验方法

硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱美利体育登录入口官网方法

Test method for measuring surface sodium, aluminum, potassium, and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry


硅片 

2009-10-30
国家市场监督管理总局
ISO 14237:2010
试验

表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度

Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Determination of boron atomic concentration in silicon using uniformly doped materials


参考材料 

2010-07
国际标准化组织
JC/T 3044-2026
试验

金刚石膜中硼掺杂含量的测定 二次离子质谱法

Determination of boron doping content in diamond film—Secondary ion mass spectrometry

20-XX-XX
行业标准-建材
JIS K 0143:2000
试验

表面化学分析.次级离子质谱法.利用均匀掺杂材料测定硅中硼原子浓度

Surface chemical analysis -- Secondary ion mass spectrometry -- Determination of boron atomic concentration in silicon using uniformly doped materials


认证参考物质 

2000-07-20
日本工业标准调查会
JIS K 0155:2025
试验

表面化学分析 二次离子质谱 单离子计数飞行时间质谱仪中强度标尺的线性度

Surface chemical analysis-Secondary ion mass spectrometry-Linearity of intensity scale in single ion counting time-of-flight mass analysers

2025-05-20
日本工业标准调查会
SJ/T 11493-2015
试验

硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法

Test method for measuring nitrogen concentration in silicon substrates by secondary ion mass spectrometry

2015-04-30
行业标准-电子
SJ/T 11498-2015
试验

重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法

Test method for measuring oxygen contamination in heavily doped silicon substrates by secondary ion mass spectrometry


氧浓度 

2015-04-30
行业标准-电子

 




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