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美利体育登录入口官网:GJB 33/17-2011
半导体光电子器件 GO11型半导体光电耦合器详细规范

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GO11 semiconductor photocoupler


美利体育登录入口官网: GJB 33/17-2011 发布历史

GJB 33/17-2011由国家军用标准-总装备部 CN-GJB-Z 发布于 2011-12-25,并于 2012-04-01 实施。

GJB 33/17-2011 在中国标准分类中归属于: L53 半导体发光器件,L56 半导体集成电路。

GJB 33/17-2011 半导体光电子器件 GO11型半导体光电耦合器详细规范的最新版本是哪一版?

最新版本是 GJB 33/17-2011 。

标准号
GJB 33/17-2011
发布时间
2011-12-25
标准名称
半导体光电子器件 GO11 型半导体光电耦合器详细规范
发布机构
中国人民解放军总装备部
编制依据
GJB 33A-1997《半导体分立器件总规范》
文件关系说明
本规范是 GJB 33A-1997 的相关详细规范。
提出和归口信息
由中国人民解放军总装备部电子信息基础部提出
起草信息
起草单位:苏州半导体总厂有限公司、工业和信息化部电子第四研究所、中国航天科技集团公司第一研究院。主要起草人:宁雪英、陈明园、陈能盛阳。
编制原因和目的
为了规范 GO11 型半导体光电耦合器的研制、生产和采购,确保其质量满足军用要求。
技术内容特殊信息
本规范的附录 A、附录 B、附录 C 和附录 E 是规范性附录,附录 D 和附录 F 是资料性附录。
与法规或其他标准的关系说明
本规范与 GJB 33A-1997、GJB 128A-1997、GJB 4027A-2006、SJ2215-1982 等标准相关联。

GJB 33/17-2011 发布之时,引用了标准

GJB 33/17-2011的历代版本如下:

  • 2011年 GJB 33/17-2011 半导体光电子器件 GO11型半导体光电耦合器详细规范

 

本规范规定了GO11型半导体光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购。

GO11 型半导体光电耦合器
GO11 semiconductor photocoupler
一种采用双列八脚陶瓷金属密封结构的半导体光电子器件,内部包含砷化镓红外发射芯片和硅光敏接收芯片,用于军用电子美利体育官网首页网址和仪器。
芯片评价与控制
Chip evaluation and control
对外购芯片进行的电测试、目检、高温寿命、温度循环、恒定加速度等试验及控制过程,以确保芯片质量符合规范。
破坏性物理分析
Destructive Physical Analysis (DPA)
通过外部目检、X 射线检查、PIND、密封性测试、内部气体成分分析、内部目检、键合强度及剪切强度等试验,对器件进行破坏性分析以评估其内部结构和质量。

GJB 33/17-2011

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标准号
GJB 33/17-2011
发布
2011年
总页数
20页
发布单位
国家军用标准-总装备部
当前最新
GJB 33/17-2011
 
 
引用标准
GJB 128A-1997 GJB 33A-1997 GJB 4027A-2006 SJ 2215-1982
 
 
本体
破坏性物理分析

美利体育登录入口官网: GJB 33/17-2011 中提到的仪器美利体育官网首页网址

电流表

未指定
用于测量输出电流(Io)和输出截止电流(Ioff),在测试电流传输比和输出截止电流时使用。
示波器

双踪示波器
用于测量器件的延迟时间(tPLH 和 tPHL),通过观察输入输出波形图进行测量。
电压表

未指定
用于测量输出低电平电压(Vol),在测试输出低电平电压时使用。

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