GJB 33/17-2011由国家军用标准-总装备部 CN-GJB-Z 发布于 2011-12-25,并于 2012-04-01 实施。
GJB 33/17-2011 在中国标准分类中归属于: L53 半导体发光器件,L56 半导体集成电路。
GJB 33/17-2011 半导体光电子器件 GO11型半导体光电耦合器详细规范的最新版本是哪一版?
最新版本是 GJB 33/17-2011 。
本规范规定了GO11型半导体光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购。
| GO11 型半导体光电耦合器 GO11 semiconductor photocoupler | 一种采用双列八脚陶瓷金属密封结构的半导体光电子器件,内部包含砷化镓红外发射芯片和硅光敏接收芯片,用于军用电子美利体育官网首页网址和仪器。 |
| 芯片评价与控制 Chip evaluation and control | 对外购芯片进行的电测试、目检、高温寿命、温度循环、恒定加速度等试验及控制过程,以确保芯片质量符合规范。 |
| 破坏性物理分析 Destructive Physical Analysis (DPA) | 通过外部目检、X 射线检查、PIND、密封性测试、内部气体成分分析、内部目检、键合强度及剪切强度等试验,对器件进行破坏性分析以评估其内部结构和质量。 |

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| 电流表 未指定 | 用于测量输出电流(Io)和输出截止电流(Ioff),在测试电流传输比和输出截止电流时使用。 |
| 示波器 双踪示波器 | 用于测量器件的延迟时间(tPLH 和 tPHL),通过观察输入输出波形图进行测量。 |
| 电压表 未指定 | 用于测量输出低电平电压(Vol),在测试输出低电平电压时使用。 |
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