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本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片翘曲度的非接触式测试方法。 本标准适用于测量直径大于50mm,厚度大于180μm的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测试方法也适用于监视器件加工过程中硅片翘曲度的热化学效应。
| 基准环 由基座、3个支撑球、3个定位柱组成,如图3所示。 | 用于提供基准平面的专用器具,确保硅片正确定位。 |
| 测量仪 由测量探头、显示器和花岗岩平台组成。 | 用于非接触式测量硅片翘曲度的专业美利体育官网首页网址,具有高精度和稳定性。 |
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1986-07-26 2009-10-30 2010-06-01 36 GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6619-1995 1985-06-17 2009-10-30 2010-06-01 37 GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式...
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