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美利体育登录入口官网:GB/T 6619-2009
硅片弯曲度测试方法

Test method for bow of silicon wafers

GBT6619-2009, GB6619-2009


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GB/T 6619-2009

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标准号
GB/T 6619-2009
别名
GBT6619-2009
GB6619-2009
发布
2009年
ICS
29.045
总页数
11页
采用标准
SEMI MF534-0706 MOD
发布单位
国家市场监督管理总局
当前最新
GB/T 6619-2009
 
 
引用标准
GB/T 14264 GB/T 2828.1
被代替标准
GB/T 6619-1995
 
 
本体
基准平面 弯曲度

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片弯曲度的接触式测量方法。 本标准适用于测量直径不小于25mm,厚度为不小于180μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。

术语 
正表面 Front Side
弯曲度 Bow
中位面 Median Surface

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基准环 用于支撑硅片并形成基准平面的装置
无接触测量探头 用于测量硅片中心点偏离基准平面的距离的传感器

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