美利体育登录入口官网:JIS C 7032:1993
晶体管用通用规则
General rules for transistors
美利体育登录入口官网: JIS C 7032:1993 发布历史
JIS C 7032:1993由日本工业标准调查会 JP-JISC 发布于 1993-03-01。
JIS C 7032:1993 在中国标准分类中归属于: L42 半导体三极管，在国际标准分类中归属于: 31.080.30 三极管。
JIS C 7032:1993 晶体管用通用规则的最新版本是哪一版？
最新版本是 JIS C 7032:1993 。
JIS C 7032:1993 发布之时，引用了标准
- JIS C 0301 电气机械图形符号
- JIS C 7021 半导体分立器件的环境和耐久性试验方法
- JIS C 7030 晶体管的测量方法
- JIS C 7210 有可靠性保证的半导体分立器件通则
- JIS Z 8202 量值符号、单位符号、化学符号
- JIS Z 8203 国际单位制(SI)及其组合形式和某些其它单位的使用推荐规程*， 2000-03-20 更新
* 在 JIS C 7032:1993 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。
JIS C 7032:1993的历代版本如下：
- 1993年 JIS C 7032:1993 晶体管用通用规则
本标准规定了电子美利体育官网首页网址中使用的双极晶体管和场效应晶体管（以下统称为晶体管）的通用事项。
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 绝对最大额定值 Absolute maximum rating | 在任何时刻都不应超过的额定值阈值，如果确定了2个或更多项目的指定值，则任何两个项目不应同时达到阈值 |
| 存储温度 Storage temperature (Tstg) | 无电压施加时存储环境温度的允许范围 |
| 结温 Junction temperature (Tj) | 半导体中表观结温的最大允许值，表示双极晶体管中热条件和电条件的相关性 |
| 集电极-基极电压 Collector-base voltage (VCBO) | 在发射极开路时，集电结反向方向可施加电压的最大允许值 |
| 发射极-基极电压 Emitter-base voltage (VEBO) | 在集电极开路时，发射结反向方向可施加电压的最大允许值 |
| 集电极-发射极电压 Collector-emitter voltage (VCEO) | 在基极开路时，集电结反向方向电压的最大允许值 |
| 集电极电流 Collector current (IC) | 当在发射极和基极之间施加正向电压时，能够在集电结反向方向连续通过的电流的最大允许值 |
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- 标准号
- JIS C 7032:1993
- 发布
- 1993年
- ICS
-
31.080.30
- 总页数
- 19页
- 发布单位
- 日本工业标准调查会
- 当前最新
- JIS C 7032:1993
- 引用标准
- JIS C 0301 JIS C 7021 JIS C 7030 JIS C 7210 JIS Z 8202 JIS Z 8203
- 本体
- 场效应晶体管
美利体育登录入口官网: JIS C 7032:1993 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| 测量美利体育官网首页网址 | 用于测量晶体管电气特性的美利体育官网首页网址，按照JIS C 7030标准进行测量 |
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