美利体育登录入口官网:31.080.30 - 三极管
31.080.30 - 三极管 最近发布的标准
| 序号 | 标准号 | 标准名称 | 发布时间 |
|---|---|---|---|
| 1 | 26/30553781 DC | BS IEC 60747-8 Amd.2 修订版 2 半导体器件 分立器件 第 8 部分：场效应晶体管 | 2026-07-17 |
| 2 | SJ/T 12152-2026 | 半导体分立器件 风电用焊接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块门类规范 | 2026-06-01 |
| 3 | SJ/T 12153-2026 | 半导体分立器件 逆阻型集成门极换流晶闸管 门类规范 | 2026-06-01 |
| 4 | GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 2026-04-30 |
| 5 | GB/T 7576-2026 | 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范 | 2026-03-31 |
| 6 | GB/T 6217-2026 | 半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范 | 2026-03-31 |
| 7 | IEC 63602:2026 | 数据手册中 SiC MOSFET 开关损耗表示指南 | 2026-02-01 |
| 8 | IEC 63601:2026 | 用于功率电子转换的碳化硅金属氧化物半导体器件偏差温度不稳定性评估指南 | 2026-02-01 |
| 9 | SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 2025-12-19 |
| 10 | SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 2025-12-19 |
| 11 | IEC 63601:2025 PRV | 功率电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏压温度不稳定性评估指南 | 2025-12-01 |
| 12 | IEC 63602:2025 PRV | 数据表中表征碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管开关损耗的指南 | 2025-12-01 |
| 13 | SJ/T 12032-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 2025-09-09 |
| 14 | 25/30531418 DC | BS IEC 63673 关于碳化硅MOSFET栅极电荷（QG）测试方法的指南 | 2025-09-05 |
| 15 | 25/30531414 DC | BS IEC 63672 评估碳化硅功率器件DV/DT鲁棒性的指南 | 2025-09-05 |
| 16 | JB/T 8951.1-2025 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第1部分：单管 | 2025-07-02 |
| 17 | JB/T 8951.2-2025 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第2部分：臂模块 | 2025-07-02 |
| 18 | JB/T 8951.5-2025 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第5部分：三相桥模块 | 2025-07-02 |
| 19 | JB/T 8951.3-2025 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第3部分：臂对模块 | 2025-07-02 |
| 20 | JB/T 8951.4-2025 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第4部分：单相桥模块 | 2025-07-02 |
| 21 | BS IEC 63505:2025 | SiC MOSFET 阈值电压 VT 测量指南 | 2025-04-30 |
| 22 | IEC 63505:2025 | 碳化硅MOSFET阈值电压测量指南 | 2025-04-01 |
| 23 | T/SZECC 001-2024 | 新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术规范 | 2024-10-29 |
| 24 | GSO IEC 63284:2024 | 半导体器件 氮化镓晶体管的感性负载开关可靠性测试方法 | 2024-01-31 |
| 25 | GSO IEC 63275-1:2024 | 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性测试方法 第1部分：偏置温度不稳定性测试方法 | 2024-01-31 |
| 26 | GB/T 4587-2023 | 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 | 2023-09-07 |
| 27 | BS IEC 62373-1:2020 | 半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试 | 2023-03-31 |
| 28 | KS C IEC 60747-7:2022 | 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管 | 2022-12-08 |
| 29 | KS C IEC 60747-7-2022 | 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管 | 2022-12-08 |
| 30 | KS C IEC 60747-7 | 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管 | 2022-12-08 |