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美利体育登录入口官网:DIN CEN ISO/TS 80004-8:2015*DIN SPEC 52400-8:2015
纳米技术 词汇表 第8部分:纳米加工工艺

Nanotechnologies - Vocabulary - Part 8: Nanomanufacturing processes


美利体育登录入口官网: DIN CEN ISO/TS 80004-8:2015*DIN SPEC 52400-8:2015 发布历史

DIN CEN ISO/TS 80004-8:2015*DIN SPEC 52400-8:2015由德国标准化学会 DE-DIN 发布于 2015,并于 0000-00-00 实施。

DIN CEN ISO/TS 80004-8:2015*DIN SPEC 52400-8:2015 纳米技术 词汇表 第8部分:纳米加工工艺的最新版本是哪一版?

最新版本是 DIN CEN ISO/TS 80004-8:2021-03 。

标准号
CEN ISO/TS 80004-8:2015
发布时间
2015-07
标准名称
纳米技术术语 第8部分:工业纳米制造过程
发布机构
CEN (欧洲标准化委员会)
编制依据
ISO/TS 80004-8:2013
文件关系说明
本文件是CEN/TS(欧洲技术规范),作为未来标准的临时版本,由ISO/TS 80004-8:2013直接采纳(德国版本)。
与国际文件关系
等同采用 ISO/TS 80004-8:2013
专利声明(未识别专利)
CEN [and/or CENELEC] 不负责识别本文件中可能涉及的任何专利权利。
提出和归口信息
由 ISO/TC 229(纳米技术)和 CEN/TC 352(纳米技术)制定,DIN NA 062-08-17-01 UA(术语)负责德国国内事务。
起草信息
由ISO/TC 229和CEN/TC 352的技术委员会成员起草。
版本历史
基于 ISO/TS 80004-8:2013 制定,发布于2015年7月。
解释单位
AFNOR (法国) 和 BSI (英国) 作为秘书处
编制原因和目的
为工业纳米制造过程的早期阶段(如合成、制造、控制)提供统一的术语和定义,促进不同用户群体对纳米制造的理解和应用,连接研发与商业化。
技术内容特殊信息
本文件是ISO/TS 80004系列术语标准的第8部分,专注于工业制造过程,而非生物过程或其他部分涵盖的领域。
分部分标准的各部分关系
是 ISO/TS 80004 系列的多部分标准中的第8部分,其他部分包括核心术语、碳纳米物体、纳米结构材料等。
专利声明(涉及必要专利)
本文件中提及的产品商标(如Dip-Pen Nanolithography)仅为说明用途,不构成对特定产品的推荐。
与法规或其他标准的关系说明
与 ISO 2080、ISO 3252、ISO 11074 等其他标准有关联引用,涉及涂层、粉末冶金和土壤质量术语。
风险分析或特殊提示
本规范有效期最初限定为三年,两年后CEN成员需提交意见,讨论是否将其转化为欧洲标准。可能存在专利风险。

DIN CEN ISO/TS 80004-8:2015*DIN SPEC 52400-8:2015 发布之时,引用了标准

DIN CEN ISO/TS 80004-8:2015*DIN SPEC 52400-8:2015的历代版本如下:

 

本技术规范包含纳米技术领域中与纳米制造工艺相关的术语和定义。它是关于纳米技术各个方面的术语和定义多部分文档的一部分。本文档中所有与工艺相关的术语均与纳米制造相关。许多列出的工艺并非仅限于纳米尺度。根据可控条件,这些工艺可以产生纳米尺度或更大尺度的材料特性。还有许多其他与纳米制造相关的术语,例如工具、部件、材料、系统控制程序或计量方法,但这些不在本文档的讨论范围之内。

DIN CEN ISO/TS 80004-8:2015*DIN SPEC 52400-8:2015 是基于 CEN ISO/TS 80004-8 的发版本。

采用 CEN ISO/TS 80004-8 的发行版本有:

术语描述
Bottom-up-Nanoherstellung
Bottom-up Nano-manufacturing
利用纳米尺度的微小单元作为构建块,制造具有广泛功能性的更大结构或排列的过程。
Ko-Abscheidung
Co-deposition
两种或多种源材料的同时沉积。
gezielteAnordnung
Directed assembly
通过外部干预控制纳米尺度组件形成具有任何任意预定图案的结构的过程。
Lithographie
Lithography
可重复地产生图案的过程。图案可在光敏材料中产生,或通过转印、印刷或直接写入将材料转移至衬底。
Nanofertigung
Nano-fabrication
为经济目的,目标制造纳米尺度器件的整个工作流程。
industrielleNanoherstellung
Industrial Nano-manufacturing
为经济目的而有意合成、制造或控制纳米材料或纳米尺度制造阶段的过程。
Selbst-Anordnung
Self-assembly
组分自发地形成图案或结构的自主过程。
Top-Down-Nanoherstellung
Top-down Nano-manufacturing
从宏观物体制造纳米尺度结构的过程。
Kaltgasspritzen
Cold gas spraying
将纳米晶体粉末或传统粉末液化,随后在惰性气体中以高速固化成表面涂层的工艺。
Flammensynthese-Prozesse
Flame synthesis processes
通过放热反应将前驱溶液与氧化剂反应,产生通常呈聚集态的纳米材料固体的过程。
Sol-Gel-Prozess
Sol-Gel process
将化学溶液或胶体悬浮液(溶胶)转化为集成网络(凝胶),随后可进一步致密化的过程。
Atomechicht-Abscheidung
Atomic layer deposition (ALD)
通过循环沉积基于自终止表面反应的材料来制造均匀 Conformal 薄膜的工艺,从而实现原子尺度的厚度控制。
chemische Gasphasenabscheidung
Chemical vapor deposition (CVD)
通过气态前驱体或混合前驱体在衬底上发生化学反应(通常由热量引发)来沉积固体材料的过程。
Nanomuster-Lithographie
Nano-patterning lithography
在三个维度上实现纳米尺度尺寸和结构化的光刻过程。
Dip-Pen-Nanolithographie
Dip-Pen Nanolithography
使用探测针尖通过溶剂弯月面将特殊材料转移到衬底表面,以产生小于 100 nm 长度尺度的图案的过程。
Nanopragelithographie
Nano-imprint lithography
通过将具有所需图案的纳米尺度模板(通常称为模具、冲头、掩模或压模)压入可变形光刻胶中,随后进行热或光固化的过程。
Reaktives Ionen?tzen
Reactive ion etching
一种等离子体刻蚀形式,晶圆放置在高频率驱动的电极上,对电极具有更大的面积,从而产生高度各向异性的轮廓。
Nass?tzen
Wet etching
使用液态蚀刻剂化学去除表面材料的过程。
Drucken und Beschichten
Printing and coating
包括压印、多层膜制备、纳米纤维沉淀和纳米颗粒喷涂等多种技术,用于在衬底上形成图案或涂层。

DIN CEN ISO/TS 80004-8:2015*DIN SPEC 52400-8:2015

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标准号
DIN CEN ISO/TS 80004-8:2015*DIN SPEC 52400-8:2015
发布
2015年
总页数
37页
发布单位
德国标准化学会
替代标准
DIN CEN ISO/TS 80004-8:2021
当前最新
DIN CEN ISO/TS 80004-8:2021-03
 
 
引用标准
DIN CEN ISO/TS 80004-1 DIN CEN ISO/TS 80004-3 DIN CEN ISO/TS 80004-4 DIN CEN ISO/TS 80004-6 DIN EN ISO 2080 DIN EN ISO 3252 ISO 11074 ISO 18115-2 ISO 19353 ISO 2080 ISO 3252 ISO/TS 27687 ISO/TS 80004-1 ISO/TS 80004-3 ISO/TS 80004-4 ISO/TS 80004-6 ISO/TS 80004-8:2013
 
 
本体
纳米制造

美利体育登录入口官网: DIN CEN ISO/TS 80004-8:2015*DIN SPEC 52400-8:2015 中提到的仪器美利体育官网首页网址

扫描探针显微镜

AFM-Spitze (原子力显微镜针尖)
用于Dip-Pen Nanolithography中转移材料,或用于Rasterkraftsonden-Druck标记表面。
热喷涂美利体育官网首页网址

Plasmastrahl (等离子束)
用于热喷涂过程,将前驱体或纳米颗粒引入等离子流中以形成涂层或纳米材料。
电子束曝光系统

Elektronenstrahl
用于Electronenstrahllithographie,通过聚焦的束流改变光刻胶的溶解性以直接写入图案。
离子束刻蚀美利体育官网首页网址

FIB (Focused Ion Beam)
用于Fokussierte Ionenstrahllithographie或Fokussiertes Ionenstrahl?tzen,通过聚焦离子束改变光刻胶溶解性或物理溅射去除材料。

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