美利体育登录入口官网:JEDEC JESD51-51A-2022
热测量术语和定义词汇表
Glossary of Thermal Measurement Terms and Definitions
- 标准号
- JEDEC JESD51-51A-2022
- 发布
- 2022年
- 总页数
- 40页
- 发布单位
- (美国)固态技术协会,隶属EIA
- 引用标准
- CIE 127:2007 CIE 225:2017 CIE S 017/E:2020
- 本体
- 发光二极管 结温
- 适用范围
- 本文件规定了功率发光二极管（功率 LED）和/或高亮度发光二极管（HB LED，以下简称 LED）的热测试程序。这些 LED 通常用于正向电流为 100mA 及以上的工况，并发射可见光。建议将本测量指南应用于封装好的 LED，其条件包括：总电功率消耗超过 0.5W；能量转换效率高于 5%；由稳态直流电源供电（通常为强制恒定正向电流），无论封装内的器件是单芯片还是多芯片结构。本文件不涉及激光二极管。关于热测试，可分为实验室测试和批量测试，本文件的范围仅限于功率 LED 的实验室测试。本文件给出的建议适用于 LED 的稳态和动态（瞬态）热测量，均基于 JEDEC JESD51- 系列电气测试方法。对于稳态热参数，可使用 JESD51-1 中定义的静态和动态测试方法。关于加热功率，本文件旨在作为 JEDEC JESD51-14 的 LED 特定扩展，适用于仅由直流驱动的 LED。未来可能会发布针对 JESD51-14 的其他 LED 特定补充内容，以处理功率 LED 封装与其他功率半导体器件封装之间的实际差异。
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 结温 Junction Temperature (TJ) | LED 芯片 PN 结的温度，通常用 TC 或 TJ 表示，是热测试中的核心参数。 |
| 耗散加热功率 Dissipated Heating Power (PH) | LED 有源区实际产生的热量，等于输入电功率（VF × IF）减去发射的光功率（Φe）。 |
| 结到特定环境热阻 Junction-to-Specific Environment Thermal Resistance (RθJX) | LED 结温与特定环境温度之差除以耗散功率，表征热传导路径的阻力。 |
| K 因子 K-factor | 正向电压温度敏感性的倒数（SVF 的倒数），用于通过测量正向电压变化来推算结温变化，单位为 K/mV。 |
| 辐射效率 Radiant Efficiency (ηe) | LED 发射的光功率与输入电功率的比值，也称为能量转换效率或墙插效率（WPE）。 |
| 温度敏感参数 Temperature Sensitive Parameter (TSP) | 随结温变化而显著变化的物理量，对于半导体二极管通常指正向电压（VF）。 |
美利体育登录入口官网: JEDEC JESD51-51A-2022 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| 温控腔体 未指定具体型号 | 用于 K 因子校准的受控温度环境装置，确保测试在恒定温度下进行。 |
| 热测试美利体育官网首页网址 未指定具体型号 | 用于进行 LED 热阻和结温测量的专用美利体育官网首页网址，可能包含功率放大器（LED boosters）以满足高电压或大电流需求。 |