JEDEC JESD51-51A-2022由(美国)固态技术协会,隶属EIA US-JEDEC 发布于 2022,并于 0000-00-00 实施。
JEDEC JESD51-51A-2022 热测量术语和定义词汇表的最新版本是哪一版?
JEDEC JESD51-51A-2022已经是当前最新版本。
本文件规定了功率发光二极管(功率 LED)和/或高亮度发光二极管(HB LED,以下简称 LED)的热测试程序。这些 LED 通常用于正向电流为 100mA 及以上的工况,并发射可见光。建议将本测量指南应用于封装好的 LED,其条件包括:总电功率消耗超过 0.5W;能量转换效率高于 5%;由稳态直流电源供电(通常为强制恒定正向电流),无论封装内的器件是单芯片还是多芯片结构。本文件不涉及激光二极管。关于热测试,可分为实验室测试和批量测试,本文件的范围仅限于功率 LED 的实验室测试。本文件给出的建议适用于 LED 的稳态和动态(瞬态)热测量,均基于 JEDEC JESD51- 系列电气测试方法。对于稳态热参数,可使用 JESD51-1 中定义的静态和动态测试方法。关于加热功率,本文件旨在作为 JEDEC JESD51-14 的 LED 特定扩展,适用于仅由直流驱动的 LED。未来可能会发布针对 JESD51-14 的其他 LED 特定补充内容,以处理功率 LED 封装与其他功率半导体器件封装之间的实际差异。
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 结温 Junction Temperature (TJ) | LED 芯片 PN 结的温度,通常用 TC 或 TJ 表示,是热测试中的核心参数。 |
| 耗散加热功率 Dissipated Heating Power (PH) | LED 有源区实际产生的热量,等于输入电功率(VF × IF)减去发射的光功率(Φe)。 |
| 结到特定环境热阻 Junction-to-Specific Environment Thermal Resistance (RθJX) | LED 结温与特定环境温度之差除以耗散功率,表征热传导路径的阻力。 |
| K 因子 K-factor | 正向电压温度敏感性的倒数(SVF 的倒数),用于通过测量正向电压变化来推算结温变化,单位为 K/mV。 |
| 辐射效率 Radiant Efficiency (ηe) | LED 发射的光功率与输入电功率的比值,也称为能量转换效率或墙插效率(WPE)。 |
| 温度敏感参数 Temperature Sensitive Parameter (TSP) | 随结温变化而显著变化的物理量,对于半导体二极管通常指正向电压(VF)。 |

点击查看大图
| 温控腔体 未指定具体型号 | 用于 K 因子校准的受控温度环境装置,确保测试在恒定温度下进行。 |
| 热测试美利体育官网首页网址 未指定具体型号 | 用于进行 LED 热阻和结温测量的专用美利体育官网首页网址,可能包含功率放大器(LED boosters)以满足高电压或大电流需求。 |
Copyright ?2007-2026 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号
页面更新时间: 2026-09-11 17:58