美利体育登录入口官网:BS IEC 62373-1:2020
半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
Semiconductor devices. Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Fast BTI test for MOSFET
- 标准号
- BS IEC 62373-1:2020
- 发布
- 2023年
- 国际标准分类(ICS)
- 31.080.30 三极管
- 总页数
- 26页
- 发布单位
- 英国标准学会
- 当前最新
- BS IEC 62373-1:2020
- 适用范围
- 范围 IEC 62373 的这一部分提供了硅基金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 快速 BTI（偏置温度不稳定性）测试的测量程序。本文件还定义了与传统 BTI 测试方法相关的术语。
美利体育登录入口官网: BS IEC 62373-1:2020 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| 快速电压切换美利体育官网首页网址 建议使用微秒级快速切换美利体育官网首页网址 | 用于 MOSFET 的直流特性测量，高温下的准确性要求高。 |
| 晶圆探针台 带加热夹具的晶圆探针台 | 用于在恒定温度下进行应力和测量，时间记录精度为 1%。 |