美利体育登录入口官网:DIN 25443:2020
部件和材料对电离辐射的抗辐射要求
Requirements for the radiation resistance of components and materials against ionising radiation
- 标准号
- DIN 25443:2020
- 发布
- 2020年
- 总页数
- 10页
- 发布单位
- 德国标准化学会
- 替代标准
- DIN 25443:2020-05
- 当前最新
- DIN 25443:2020-12
- 引用标准
- DIN 25420-3 DIN 25488 DIN 53781 DIN EN 60544
- 本体
- 电离辐射
- 适用范围
- 本文件适用于在电离辐射场中使用或处理的美利体育官网首页网址和组件，例如机械、装置、电缆、媒体线路、远程控制美利体育官网首页网址和工具。本文件旨在为规划者和制造商提供材料兼容性规则
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| Alpha-和Betastrahlung Alpha and Beta Radiation | 一种粒子辐射，包括氦核（α）和高速电子流（β），在直接接触或污染情况下可累积极高的能量剂量。 |
| Neutronenstrahlung Neutron Radiation | 一种粒子辐射，与材料相互作用可能导致材料活化（产生放射性）并进一步损害其抗辐射性能。 |
| R?ntgen- und Gammastrahlung X-ray and Gamma Radiation | 电磁辐射，通常由电子跃迁或原子核衰变产生，在罕见情况下可能导致材料活化。 |
| Strahlenbest?ndigkeit Radiation Resistance | 材料在特定剂量率下能承受的总能量剂量而不发生超过允许范围的性能退化（如强度降低50%）。 |
| CMOS-Technik CMOS Technology | 互补金属氧化物半导体技术，用于制造电子元件，其抗辐射性受纯度和设计影响，通常比双极元件更耐受辐射。 |
| SOS-CMOS-Technik Silicon on Sapphire CMOS Technology | 蓝宝石上硅的CMOS技术，具有更高的抗辐射阈值（可达10^4 Gy），用于高辐射环境下的电子元件。 |
| Energiedosisleistung Energy Dose Rate | 单位时间内施加的能量剂量（Gy/h），剂量率会影响材料的抗辐射寿命，高剂量率可能缩短材料寿命。 |
美利体育登录入口官网: DIN 25443:2020 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| CCD-Kamera MOS-Technik | 电荷耦合器件摄像头，抗辐射性较低（约10^2 Gy），适用于低辐射环境。 |
| CMOS-Kamera CMOS | 互补金属氧化物半导体摄像头，抗辐射性优于CCD（约10^3 Gy）。 |
| R?hrenkamera (Newvicon/Chalnicon) Strahlenbest?ndig | 耐辐射的真空管摄像头，抗辐射性较高（能量剂量可达2×10^6 Gy）。 |