美利体育登录入口官网:DIN 25443:2020
部件和材料对电离辐射的抗辐射要求
Requirements for the radiation resistance of components and materials against ionising radiation
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- 标准号
- DIN 25443:2020
- 发布
- 2020年
- 总页数
- 10页
- 发布单位
- 德国标准化学会
- 替代标准
- DIN 25443:2020-05
- 当前最新
- DIN 25443:2020-12
- 引用标准
- DIN 25420-3 DIN 25488 DIN 53781 DIN EN 60544
- 本体
- 电离辐射
本文件适用于在电离辐射场中使用或处理的美利体育官网首页网址和组件，例如机械、装置、电缆、媒体线路、远程控制美利体育官网首页网址和工具。本文件旨在为规划者和制造商提供材料兼容性规则
| 术语 | |
|---|---|
| Alpha-和Betastrahlung | Alpha and Beta Radiation |
| Neutronenstrahlung | Neutron Radiation |
| R?ntgen- und Gammastrahlung | X-ray and Gamma Radiation |
| Strahlenbest?ndigkeit | Radiation Resistance |
| CMOS-Technik | CMOS Technology |
| SOS-CMOS-Technik | Silicon on Sapphire CMOS Technology |
| Energiedosisleistung | Energy Dose Rate |
美利体育登录入口官网: DIN 25443:2020 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| CCD-Kamera MOS-Technik | 电荷耦合器件摄像头，抗辐射性较低（约10^2 Gy），适用于低辐射环境。 |
| CMOS-Kamera CMOS | 互补金属氧化物半导体摄像头，抗辐射性优于CCD（约10^3 Gy）。 |
| R?hrenkamera (Newvicon/Chalnicon) Strahlenbest?ndig | 耐辐射的真空管摄像头，抗辐射性较高（能量剂量可达2×10^6 Gy）。 |