美利体育登录入口官网:DIN 25443:2020
部件和材料对电离辐射的抗辐射要求
Requirements for the radiation resistance of components and materials against ionising radiation
美利体育登录入口官网: DIN 25443:2020 发布历史
DIN 25443:2020由德国标准化学会 DE-DIN 发布于 2020-12-01。
DIN 25443:2020 部件和材料对电离辐射的抗辐射要求的最新版本是哪一版？
最新版本是 DIN 25443:2020-12 。
- 标准号
- DIN 25443:2020-12
- 发布时间
- 2020-12
- 标准名称
- 组件和材料对电离辐射的抗辐射性要求
- ICS
- 13.280
- 发布机构
- 德国标准化学会 (DIN)
- 代替/废止文件关系
- DIN 25488-2:1995-10 被 DIN 25488:2018-03 替代，其第 3 章“抗辐射性”已并入本文件并补充
- 专利声明（未识别专利）
- 本文件的一些要素可能涉及专利权。DIN 不负责识别任何或所有相关专利权。
- 提出和归口信息
- 归口单位：德国标准化学会材料测试标准化委员会 (NMP) 第 NA 062-07-62 AA 工作组“辐射防护装置”
- 编制原因和目的
- 本文件旨在为设计者和制造商提供关于美利体育官网首页网址和组件材料合理设计的规则，便于审批机构及其授权人员进行评估，并简化操作人员的执行工作，加快工作进度。
- 技术内容特殊信息
- 本文件仅给出了各材料组可能的抗辐射性带宽范围，这是由组内各材料特性差异造成的。对于高抗辐射性要求，应优先使用无机材料和固体润滑剂。
- 与法规或其他标准的关系说明
- 关于腐蚀耐性，参见 DIN 25488；关于电离辐射对电气绝缘材料的影响，参见 DIN EN 60544 系列；关于涂层抗辐射性测试，参见 DIN 53781；关于抗辐射玻璃，参见 DIN 25420-3。
- 风险分析或特殊提示
- 高伽马剂量率会导致氯碳氢化合物等物质分解产生臭氧和氮氧化物，从而引起腐蚀，应避免使用易腐蚀表面。同时承受辐射和腐蚀或高温等应力时，抗辐射性可能会降低。
DIN 25443:2020 发布之时，引用了标准
- DIN 25420-3 混凝土热室施工第3部分：不同密度混凝土墙屏蔽窗的要求
- DIN 25488 热室组件 远程操作设计要求
- DIN 53781 油漆和清漆 - 核电厂涂层抗电离辐射性能的测试方法
- DIN EN 60544 电气绝缘材料 电离辐射效应的测定 第5部分：使用中老化评估的程序（IEC 60544-5:2011） 德文版本 EN 60544-5:2012
DIN 25443:2020的历代版本如下：
- 2020年 DIN 25443:2020-12 元器件和材料抗电离辐射的耐辐射要求
- 2020年 DIN 25443:2020-05 草案 部件和材料对电离辐射的抗辐射要求
- 2020年 DIN 25443:2020 部件和材料对电离辐射的抗辐射要求
本文件适用于在电离辐射场中使用或处理的美利体育官网首页网址和组件，例如机械、装置、电缆、媒体线路、远程控制美利体育官网首页网址和工具。本文件旨在为规划者和制造商提供材料兼容性规则
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| Alpha-和Betastrahlung Alpha and Beta Radiation | 一种粒子辐射，包括氦核（α）和高速电子流（β），在直接接触或污染情况下可累积极高的能量剂量。 |
| Neutronenstrahlung Neutron Radiation | 一种粒子辐射，与材料相互作用可能导致材料活化（产生放射性）并进一步损害其抗辐射性能。 |
| R?ntgen- und Gammastrahlung X-ray and Gamma Radiation | 电磁辐射，通常由电子跃迁或原子核衰变产生，在罕见情况下可能导致材料活化。 |
| Strahlenbest?ndigkeit Radiation Resistance | 材料在特定剂量率下能承受的总能量剂量而不发生超过允许范围的性能退化（如强度降低50%）。 |
| CMOS-Technik CMOS Technology | 互补金属氧化物半导体技术，用于制造电子元件，其抗辐射性受纯度和设计影响，通常比双极元件更耐受辐射。 |
| SOS-CMOS-Technik Silicon on Sapphire CMOS Technology | 蓝宝石上硅的CMOS技术，具有更高的抗辐射阈值（可达10^4 Gy），用于高辐射环境下的电子元件。 |
| Energiedosisleistung Energy Dose Rate | 单位时间内施加的能量剂量（Gy/h），剂量率会影响材料的抗辐射寿命，高剂量率可能缩短材料寿命。 |
点击查看大图
- 标准号
- DIN 25443:2020
- 发布
- 2020年
- 总页数
- 10页
- 发布单位
- 德国标准化学会
- 替代标准
- DIN 25443:2020-05
- 当前最新
- DIN 25443:2020-12
- 引用标准
- DIN 25420-3 DIN 25488 DIN 53781 DIN EN 60544
- 本体
- 电离辐射
美利体育登录入口官网: DIN 25443:2020 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| CCD-Kamera MOS-Technik | 电荷耦合器件摄像头，抗辐射性较低（约10^2 Gy），适用于低辐射环境。 |
| CMOS-Kamera CMOS | 互补金属氧化物半导体摄像头，抗辐射性优于CCD（约10^3 Gy）。 |
| R?hrenkamera (Newvicon/Chalnicon) Strahlenbest?ndig | 耐辐射的真空管摄像头，抗辐射性较高（能量剂量可达2×10^6 Gy）。 |