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美利体育登录入口官网:GB/T 1554-2009
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques

GBT1554-2009, GB1554-2009

正版授权中国标准出版社正式授权销售可通过授权方官方渠道验证

标准号
GB/T 1554-2009
别名
GBT1554-2009, GB1554-2009
发布
2009年
国际标准分类(ICS)
29.045 半导体材料   
总页数
21页
发布单位
国家市场监督管理总局
当前最新
GB/T 1554-2009
 
 
引用标准
GB/T 14262-1993 YS/T 209-1994
被代替标准
GB/T 1554-1995
适用范围
本标准规定了择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。 本标准适用于晶向为<111>、<100>或<110>、电阻率为10Ω?m~10Ω?m、位错密度在0cm~10cm之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。 本方法也适用于硅单晶片。
术语描述
择优腐蚀
Selective Corrosion
利用化学方法选择性地腐蚀硅晶体表面以显示缺陷的技术
位错
Dislocation
晶体结构中的排列不规则现象,影响材料性能

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平行光源
照度 100 lx一150 lx,背景为无光泽黑色
用于宏观观察缺陷分布
金相显微镜
具有 X-Y 机械载物台及测微计,放大倍数不低于 100 倍
用于微观观察缺陷特征

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