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本标准规定了择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。
本标准适用于晶向为<111>、<100>或<110>、电阻率为10
| 平行光源 照度 100 lx一150 lx,背景为无光泽黑色 | 用于宏观观察缺陷分布 |
| 金相显微镜 具有 X-Y 机械载物台及测微计,放大倍数不低于 100 倍 | 用于微观观察缺陷特征 |
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