美利体育登录入口官网:GB/T 12964-2003
硅单晶抛光片
Monocrystalline silicon polished wafers
GBT12964-2003, GB12964-2003
美利体育登录入口官网: GB/T 12964-2003 发布历史
GB/T 12964-2003由国家市场监督管理总局 国家标准化管理员会 CN-GB 发布于 2003-06-16，并于 2004-01-01 实施，于 2019-06-01 废止。
GB/T 12964-2003 在中国标准分类中归属于: H82 元素半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 12964-2003 硅单晶抛光片的最新版本是哪一版？
最新版本是 GB/T 12964-2018 。
GB/T 12964-2003的历代版本如下：
- 2018年 GB/T 12964-2018 硅单晶抛光片
- 2003年 GB/T 12964-2003 硅单晶抛光片
- 0000年 GB/T 12964-1996
本标准规定了硅单晶抛光片(简称硅抛光片)的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、美利体育登录入口官网规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄后进行单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于制作集成电路等半导体器件或做为硅外延沉积的衬底。
点击查看大图
- 标准号
- GB/T 12964-2003
- 别名
- GBT12964-2003
GB12964-2003 - 发布
- 2003年
- ICS
-
29.045
- 总页数
- 10页
- 发布单位
- 国家市场监督管理总局
- 替代标准
- GB/T 12964-2018
- 当前最新
- GB/T 12964-2018
- 被代替标准
- GB/T 12964-1996
美利体育登录入口官网: GB/T 12964-2003 中可能用到的仪器美利体育官网首页网址
美利体育登录入口官网: 其他标准
美利体育登录入口官网: 专题
美利体育登录入口官网: GB/T 12964-2003相似标准
美利体育登录入口官网: 推荐
少子寿命测试仪可对硅片进行测量
相对寿命。?b、抛光面：电阻率在0.5～0.01Ω?cm范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。范 ? ?围：0.5μs~6000μs电 阻 率：ρ﹥0.1Ω·cm（非回炉料）测试速度：1分钟/片红外光源波长： 0.904～0.905μm高频振荡源：用石英谐振器，振荡频率：30MHZ前置放大器，放大倍数约25...
高频光电导寿命测试仪资料
面：电阻率≥0.5Ω?cm的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。?b、抛光面：电阻率在0.5～0.01Ω?cm范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。范??? 围：0.5μs~6000μs电 阻 率：ρ﹥0.1Ω·cm（非回炉料）测试速度：1分钟/片红外光源波长： 0.904...
6英寸碳化硅单晶衬底研制成功
近日，中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底。 据悉，碳化硅属于第三代半导体材料，是制造高亮度LED、电力电子功率器件以及射频微波器件的理想衬底。 上图 科研人员在...
物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配。琒iC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底...