美利体育登录入口官网:IEC 61643-341:2001
低压浪涌保护装置用元件 第341部分：晶闸管浪涌抑制器（TSS）规范
Components for low-voltage surge protective devices - Part 341: Specification for thyristor surge suppressors (TSS)
- 标准号
- IEC 61643-341:2001
- 发布
- 2001年
- 国际标准分类(ICS)
- 31.080.10 二极管
- 总页数
- 132页
- 中文版
- GB/T 18802.341-2007 (等同采用的中文版本)
- 发布单位
- 国际电工委员会
- 替代标准
- IEC 61643-341:2020
- 当前最新
- IEC 61643-341:2020
- 引用标准
- IEC 60099-4 IEC 60721-3-3 IEC 60721-3-9 IEC 60747-1:1983 IEC 60747-2:1983 IEC 60747-6:1983 IEC 60749:1996 IEC 61000-4-5:1995 IEC 61083-1:1991
- 被代替标准
- IEC 37B/58/FDIS:2001
- 适用范围
- IEC 61643 的这一部分是晶闸管浪涌抑制器 (TSS) 组件的测试规范标准，旨在通过限幅和撬棍动作限制过压并转移浪涌电流。此类元件用于构建电涌保护装置，特别是当它们应用于电信时。本标准包含以下信息： - 术语、字母符号和定义 - 基本功能、配置和部件结构 - 使用条件和故障模式 - 额定值验证和特性测量
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 栅极到相邻端子击穿电压 Gate-to-adjacent terminal breakover voltage | P型器件的栅极到阴极电压或N型器件的栅极到阳极电压，在击穿点处。 |
| 不对称双向TSS Asymmetrical bidirectional TSS | 在主电压 - 电流特性的第一和第三象限中具有显著不同开关行为的晶闸管。 |
| 双向TSS Bidirectional TSS | 在主电压 - 电流特性的第一和第三象限中具有开关行为的晶闸管。 |
| 正向阻断TSS Forward-blocking TSS | 仅在主端子2（阴极）为负电压时切换，并在主端子2为正电压时呈现阻断状态的TSS。 |
| 正向导通TSS Forward-conducting TSS | 仅在主端子2（阴极）为负电压时切换，并在主端子2为正电压时导通大电流（大小与导通电压相当）的TSS。 |
| 负击穿电阻TSS Negative breakdown resistance TSS | 其静态击穿特性在开关前具有净负电阻斜率的TSS。 |
| N型栅极晶闸管 N-gate thyristor | 栅极连接到与阳极相连的P区相邻的N区的晶闸管，通常通过在栅极和阳极之间施加负信号来切换到导通状态。 |
| P型栅极晶闸管 P-gate thyristor | 栅极连接到与阴极相连的N区相邻的P区的晶闸管，通常通过在栅极和阴极之间施加正信号来切换到导通状态。 |
| 正击穿电阻TSS Positive-breakdown-resistance TSS | 其静态击穿特性在开关前具有净正电阻斜率的TSS。 |
| 反向阻断TSS Reverse-blocking TSS | 在阴极电压为正时呈现阻断状态的TSS。 |
| 反向导通TSS Reverse-conducting TSS | 在阴极电压为正时呈现导通状态的TSS。 |
| 对称双向TSS Symmetrical bidirectional TSS | 在主电压 - 电流特性的第一和第三象限中具有基本相同开关行为的TSS。 |
| 晶闸管 Thyristor | 包含三个或更多结的双稳态半导体器件，可在阻断状态和导通状态之间切换，且切换发生在主电压 - 电流特性的至少一个象限内。 |
| 单向TSS Unidirectional TSS | 仅在主电压 - 电流特性的一个象限中具有开关特性的TSS。 |
| 阳极 Anode | 当晶闸管处于导通状态且栅极开路时，电流进入晶闸管的电极。 |
| 阴极 Cathode | 当晶闸管处于导通状态且栅极开路时，电流离开晶闸管的电极。 |
| 栅极 Gate | 连接到半导体区域以引入控制电流的电极。 |
| 阻断 Blocking | 描述半导体器件或结对电流通过施加高电阻的状态的术语。 |
| 击穿 Breakdown | 发生在反向偏置半导体结中的现象，其起始表现为动态电阻从高能区转变为低能区，且反向电流幅度增加。 |
| 击穿区域 Breakdown region | 特性曲线的一部分，从动态电阻高的阻断状态过渡到动态电阻显著降低的区域，并延伸至开关点。 |
| 击穿点 Breakover point | 主电压 - 电流特性击穿区域内的任意点，其微分电阻为零且主电压达到最大值。 |
| 削波 Clipping (clamping) | 一种限制形式，其中超过预定阈值的所有信号瞬时值被降低到接近该阈值的值，而信号的其他瞬时值保持不变。 |
| 短路 Crowbarring | 一种限制形式，当信号的瞬时值超过预定阈值时，激活低阻抗旁路。当激活时，旁路与信号源阻抗一起降低信号幅度。 |
| 正向/反向阻断象限 Forward/reverse blocking quadrant | 主电压 - 电流特性中器件呈现反向阻断状态的象限。 |
| 正向/反向导通象限 Forward/reverse conducting quadrant | 主电压 - 电流特性中器件呈现正向导通状态的象限。 |
| 正向 Forward direction | 1) P-N结中电流的方向，当P型半导体区域相对于N型区域处于正电位时；2) 半导体器件中电流的方向，当连接到一端的P型区域相对于连接到另一端N型区域处于正电位时。 |
| 最大额定值 Maximum rating (absolute maximum rating) | 建立限制能力或限制条件的额定值，超出该条件可能导致器件损坏。 |
| 负微分电阻（区域） Negative differential-resistance (region) | 开关象限中主电压 - 电流特性的区域，其中微分电阻为负，晶闸管在击穿和导通区域之间切换。 |
| 非重复电流额定值 Non-repetitive current rating | 在器件寿命期间至少100次可施加的最大额定值，且无故障。 |
| 阻断状态（区域） Off state (region) | TSS在可发生切换的象限中的状态，对应于特性曲线中从原点到击穿区域开始部分的高动态电阻部分。 |
| 导通状态（区域） On state (region) | TSS的状态，对应于开关象限中主电压 - 电流特性的低电阻、低电压部分。 |
| 参数 Parameter | 可测量或可量化的器件描述符，如特性或额定值。 |
| 主电流 Principal current | 流经器件的电流的通用术语，不包括任何栅极电流。 |
| 主电压 Principal voltage | 主端子之间的电压。 |
| 主电压 - 电流特性 Principal voltage-current characteristic | 通常以图形表示的，描述主电压与主电流之间关系的函数。 |
| 象限 Quadrant | 当主电压 - 电流特性以图形表示时，电压v和电流i轴创建的四个区域，称为象限。 |
| 额定值 Rating | 分配给任何电气、热、机械或环境量的标称值，用于定义组件、机器、装置、电子美利体育官网首页网址等预期提供满意服务的操作条件。 |
| 重复额定值 Repetitive rating | 可连续施加到晶闸管的最大额定值。 |
| 反向 Reverse direction | 1) P-N结中电流的方向，当N型半导体区域相对于P型区域处于正电位时；2) 半导体器件中电流的方向，当连接到一端的N型区域相对于连接到另一端P型区域处于正电位时。 |
| 开关点 Switching point | 主电压 - 电流特性中晶闸管再生并启动切换到导通状态的点。 |
| 开关象限 Switching quadrant | 主电压 - 电流特性中器件旨在在阻断状态和导通状态之间切换的象限。 |
| 重复峰值阻断电压 Repetitive peak off-state voltage | 在阻断状态下可施加的最大（峰值）瞬时电压值，包括所有直流和重复电压分量。 |
| 重复峰值导通电流 Repetitive peak on-state current | 可连续施加的指定波形和频率的交流工频导通电流的最大（峰值）值。 |
| 非重复峰值导通电流 Non-repetitive peak on-state current | 可施加的指定波形和频率的交流工频导通冲击电流的最大（峰值）值，可施加指定时间或交流周期数。 |
| 非重复峰值脉冲电流 Non-repetitive peak impulse current | 可施加的指定幅度和波形的峰值冲击电流的最大值。 |
| 重复峰值反向电压 Repetitive peak reverse voltage | 可施加的最大（峰值）瞬时反向电压值，包括所有直流和重复电压分量。 |
| 阻断电压 Breakover voltage | 在指定电压上升率和电流上升率条件下，器件内或击穿区域测量的最大电压。 |
| 维持电流 Holding current | 使晶闸管保持在导通状态所需的最小阳极、主或晶闸管电流。 |
| 阻断电容 Off-state capacitance | 在指定频率、幅度和直流偏置电压下，在阻断状态下测量的指定端子间的微分电容。 |
| 击穿电压 Breakdown voltage | 在指定击穿电流下，器件在击穿区域（开关点之前）的电压。 |
| 开关电压 Switching voltage | 在击穿区域结束并切换到导通状态之前的瞬间电压。 |
| 导通电压 On-state voltage | 在指定电流下，器件处于导通状态时的电压。 |
| 导通电流 On-state current | 器件处于导通状态时的电流。 |
| 正向电压 Forward voltage | 在指定电流下，器件处于正向导通状态时的电压。 |
| 正向电流 Forward current | 器件处于正向导通状态时的电流。 |
| 开关电阻 Switching resistance | 从击穿区域导出的等效斜率电阻，计算公式为 (V(BO) - Vs) / (Is - I(BO))。 |
| 绝缘电阻 Insulation resistance | 从器件导出的等效绝缘电阻，计算公式为 VD / ID。 |
| 击穿电压温度系数 Temperature coefficient of breakdown voltage | 击穿电压变化量与温度变化量之比。 |
| 维持电流随温度变化 Variation of holding current with temperature | 维持电流随温度变化的量，通常以图表形式表示。 |
| 温度降额 Temperature derating | 高于指定基准温度的温度降额，以百分比表示，可应用于峰值脉冲电流。 |
| 热阻 Thermal resistance | 在热平衡条件下，指定结相对于外部参考点（引线、外壳或环境）的单位功耗引起的实际温升。 |
| 瞬态热阻抗 Transient thermal impedance | 在时间间隔结束时，虚拟结温度与指定参考点或区域温度之差的变化量，除以同一时间间隔开始时功耗的阶跃变化量。 |
| 结温 (Virtual) junction temperature | 基于器件热和电行为的简化模型计算得出的代表结温度的理论温度。 |
| 最大结温 Maximum junction temperature | 由于自热而允许的最大结温值，TSS可承受而不发生损坏。 |
| 存储温度范围 Storage temperature range | 器件可在无电压施加下存储的温度范围。 |
| 触发电流 Gate trigger current | 将器件从阻断状态切换到导通状态所需的最小栅极电流。 |
| 触发电压 Gate trigger voltage | 产生触发电流所需的栅极电压。 |
| 栅极到相邻端子阻断峰值电压 Gate-to-adjacent terminal peak off-state voltage | 可施加的最大栅极到阴极（P型栅极器件）或栅极到阳极（N型栅极器件）电压，使得在指定阻断电压下的指定阻断电流不超过。 |
| 阻断峰值栅极电流 Peak off-state gate current | 施加阻断峰值栅极电压后产生的最大栅极电流。 |
| 栅极反向电流（相邻端子开路） Gate reverse current, adjacent terminal open | 当施加指定栅极偏置电压且阴极（P型）或阳极（N型）端子开路时，流过栅极的电流。 |
| 栅极反向电流（主端子短路） Gate reverse current, main terminals short-circuited | 当施加指定栅极偏置电压且阴极（P型）或阳极（N型）端子与第三端子短路时，流过栅极的电流。 |
| 栅极反向电流（导通状态） Gate reverse current, on-state | 当施加指定栅极偏置电压且流过指定导通电流时，流过栅极的电流。 |
| 栅极反向电流（正向导通状态） Gate reverse current, forward conducting state | 当施加指定栅极偏置电压且流过指定正向导通电流时，流过栅极的电流。 |
| 栅极开关电荷 Gate switching charge | 在冲击条件下，当施加指定栅极偏置电压时，从阻断状态到开关点过渡期间流过栅极的电荷。 |
| 峰值栅极开关电流 Peak gate switching current | 在施加指定栅极偏置电压时，从阻断状态到开关点过渡期间流过栅极的最大电流值。 |
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| 电流表 峰值读数电流监测器 | 用于测量测试电路中的峰值电流。 |
| 电源 直流和交流电源 | 用于提供测试所需的直流偏置电压和交流电压，如PS1和PS2。 |
| 脉冲发生器 指定波形和幅度的冲击发生器 | 用于产生指定波形和幅度的冲击电流或电压，用于测试TSS的耐冲击能力。 |
| 示波器 模拟示波器或数字示波器 | 用于测量冲击波形和电压/电流信号，模拟示波器上升时间需快于信号5倍，数字示波器采样率需满足30/Tx要求。 |
| 电压表 平均值、峰值和交流读数 | 用于测量测试电路中的电压值。 |
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