| 序号 | 标准号 | 标准名称 | 发布时间 |
|---|---|---|---|
| 1 | GB/T 4023.3-2026 | 半导体分立器件 第3部分:信号、开关和调整二极管 | 2026-04-30 |
| 2 | JB/T 5834.1-2026 | 电力半导体模块整流管模块第1部分:臂和臂对 | 2026-02-13 |
| 3 | JB/T 6307.2-2026 | 电力半导体模块测试方法整流管模块第2部分:单相桥 | 2026-02-13 |
| 4 | JB/T 5834.2-2026 | 电力半导体模块整流管模块第2部分:单相桥 | 2026-02-13 |
| 5 | JB/T 5836.2-2026 | 快恢复二极管第2部分:模块 | 2026-02-13 |
| 6 | JB/T 6307.3-2026 | 电力半导体模块测试方法整流管模块第3部分:三相桥 | 2026-02-13 |
| 7 | JB/T 6307.1-2026 | 电力半导体模块测试方法整流管模块第1部分:臂和臂对 | 2026-02-13 |
| 8 | JB/T 15404-2026 | 电力半导体模块整流管和晶闸管混合模块臂对 | 2026-02-13 |
| 9 | JB/T 5834.3-2026 | 电力半导体模块整流管模块第3部分:三相桥 | 2026-02-13 |
| 10 | SJ/T 12069-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管电参数测试方法 | 2025-12-19 |
| 11 | SJ/T 12071-2025 | 半导体器件 分立器件碳化硅二极管门类规范 | 2025-12-19 |
| 12 | SJ/T 12070-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管可靠性试验方法 | 2025-12-19 |
| 13 | BS IEC 60747-2:2025 | 半导体器件 分立器件 整流二极管 | 2025-10-31 |
| 14 | IEC 60747-2:2025 | 半导体器件 第2部分:分立器件 整流二极管 | 2025-09-01 |
| 15 | JB/T 5836.1-2025 | 快恢复二极管 第1部分:单管 | 2025-07-02 |
| 16 | IEC 60747-2:2025 PRV | 半导体器件 第2部分:分立器件 整流二极管 | 2025-06-01 |
| 17 | T/ZOIA 3003-2024 | 硅光电倍增管可靠性评估方法 | 2024-02-04 |
| 18 | T/ZOIA 3002-2024 | 硅光电倍增管性能测试方法 | 2024-02-04 |
| 19 | T/CVIA 117-2023 | Micro LED光学特性测试方法 | 2023-04-18 |
| 20 | T/QGCML 747-2023 | 纳米级高因子光学导热填充LED封装技术规范 | 2023-04-14 |
| 21 | KS C 5300-2022 | 光纤传输用发光二极管通用规则 | 2022-07-20 |
| 22 | T/SZSA 031.01-2022 | ESD/TVS静电保护类器件测试规范 | 2022-04-11 |
| 23 | KS C IEC 60747-2:2021 | 半导体器件第2部分:分立器件整流二极管 | 2021-12-29 |
| 24 | KS C IEC 60747-2-2021 | 半导体器件第2部分:分立器件整流二极管 | 2021-12-29 |
| 25 | KS C IEC 60747-2 | 半导体器件第2部分:分立器件整流二极管 | 2021-12-29 |
| 26 | KS C IEC 60747-2-2-2021 | 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第二部分:整流二极管(包括雪崩整流二极管)的空白详细规范 环境额定值和外壳额定值 电流大于100 A | 2021-09-28 |
| 27 | KS C 7120-2021 | 发光二极管(指示用) | 2021-09-28 |
| 28 | KS C 7121-2021 | 发光二极管的测量方法(示意用) | 2021-09-28 |
| 29 | MSZ EN IEC 61643-341:2021 | 低电压过电压保护器件 第341部分:晶闸管过电压保护器(TSP)的功能要求和测试电路(IEC 61643-341:2020) | 2021-01-01 |
| 30 | SM EN IEC 61643-341:2020 | 低压放电元件 第341部分:晶闸管放电元件(TSS)的性能要求和试验电路 | 2020-12-08 |
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