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半导体分立器件.3DD880型低频大功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete device.Detail specification for type 3DD880 low-frequency and high-power transistor
- 标准号
- SJ 50033/66-1995
- 发布
- 1995年
- 国际标准分类(ICS)
- 31.080.01 半导体器分立件综合
- 总页数
- 10页
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ 50033/66-1995
- 引用标准
- GJB 128-1986 GJB 33-1985
- 本体
- 普军级
- 适用范围
- 本规范规定了 3DD880 型低频大功率晶体管 (以下简称器件) 的详细要求。本规范适用于器件的研究、生产和采购。本规范根据器件质量保证等级进行分类。按 GJB.33《半导体分立器件总规范》1.3 的规定，提供的质量保证等级为普军级，用字母 GP 表示。
| 3DD880 型低频大功率晶体管 Type 3DD880 low-frequency and high-power transistor | 一种半导体分立器件，适用于低频大功率应用，其详细技术要求、测试方法及质量保证等级在本规范中规定。 |
| 普军级 General Military Grade | 半导体分立器件的质量保证等级之一，用字母 GP 表示，适用于本规范规定的器件。 |
| 直流安全工作区 DC Safe Operating Area | 晶体管在直流工作条件下能够安全运行的电压和电流范围，由集电极电流和集电极-发射极电压的极限值定义。 |
美利体育登录入口官网: SJ 50033/66-1995 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| 电流表 | 用于测试集电极-发射极击穿电压时测量电流的仪器，其接头之间可视为短路或需对压降进行校正。 |
| 电压表 | 用于测试集电极-发射极击穿电压时测量电压的仪器，需考虑电流表压降的校正。 |
