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半导体分立器件.3DD880型低频大功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete device.Detail specification for type 3DD880 low-frequency and high-power transistor
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- 标准号
- SJ 50033/66-1995
- 发布
- 1995年
- ICS
-
31.080.01
- 总页数
- 10页
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ 50033/66-1995
- 引用标准
- GJB 128-1986 GJB 33-1985
- 本体
- 普军级
本规范规定了 3DD880 型低频大功率晶体管 (以下简称器件) 的详细要求。本规范适用于器件的研究、生产和采购。本规范根据器件质量保证等级进行分类。按 GJB.33《半导体分立器件总规范》1.3 的规定，提供的质量保证等级为普军级，用字母 GP 表示。
| 3DD880 型低频大功率晶体管 | Type 3DD880 low-frequency and high-power transistor |
| 普军级 | General Military Grade |
| 直流安全工作区 | DC Safe Operating Area |
美利体育登录入口官网: SJ 50033/66-1995 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| 电流表 | 用于测试集电极-发射极击穿电压时测量电流的仪器，其接头之间可视为短路或需对压降进行校正。 |
| 电压表 | 用于测试集电极-发射极击穿电压时测量电压的仪器，需考虑电流表压降的校正。 |
