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半导体分立器件.3DK208型功率开关晶体管详细规范
Discrete semiconductor devices Detailed specifications for 3DK208 power switching transistors
- 标准号
- SJ 50033/11-1994
- 发布
- 1994年
- 国际标准分类(ICS)
- 31.080 半导体分立器件
- 总页数
- 13页
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ 50033/11-1994
- 引用标准
- GJB 128 GJB 33
- 适用范围
- 本规范规定了 3DK208A-1 型 NPN 硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按 GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT 和 GCT 级）。外形尺寸应按 GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》的 B2-01C 型及如下规定。
| 3DK208A-1 型 NPN 硅功率开关晶体管 3DK208A-1 NPN Silicon Power Switch Transistor | 本规范规定的核心器件，属于半导体分立器件，具有特定的电气特性和外形尺寸要求，提供 GP、GT 和 GCT 三个等级的产品保证。 |
| GJB 33 半导体分立器件总规范 GJB 33 General Specification for Semiconductor Discrete Devices | 半导体分立器件的通用规范，规定了产品保证等级、抽样检验、鉴定检验等通用要求，是本规范的基础依据。 |
| 功率老化 Power Aging | 一种筛选试验，在特定温度（162.5±12.5°C）、电压（25V）和功率（75W）条件下对器件进行老化，以剔除早期失效产品。 |
美利体育登录入口官网: SJ 50033/11-1994 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| 电流表 未提及 | 用于测试电路中测量晶体管击穿电压时的电流，其接头之间可视为短路或需对电压表读数进行校正。 |
| 电压表 未提及 | 用于测试电路中施加偏置电压并读取电压值，需考虑电流表压降的影响。 |
