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半导体分立器件.3DK207型功率开关晶体管详细规范
Discrete semiconductor devices Detailed specifications for 3DK207 power switching transistors
- 标准号
- SJ 50033/10-1994
- 发布
- 1994年
- 国际标准分类(ICS)
- 31.080 半导体分立器件
- 总页数
- 13页
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ 50033/10-1994
- 引用标准
- GJB 128 GJB 33
- 适用范围
- 本规范规定了 3DK207A-I 型 NPN 硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按 GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级 (GP、GT 和 GCT 级)。外形尺寸应按 GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》的 B2-01C 型及如下规定。
| 3DK207 型功率开关晶体管 3DK207 Power Switch Transistor | 一种 NPN 硅功率开关晶体管，具有多种电压等级（A-I 型），用于功率开关应用，符合 GJB 33 总规范及本详细规范的要求。 |
| GJB 33 半导体分立器件总规范 GJB 33 General Specification for Semiconductor Discrete Devices | 规定了半导体分立器件产品保证的三个等级（GP、GT、GCT）及通用技术要求、试验方法和质量保证规定的总规范。 |
| GJB 128 半导体分立器件试验方法 GJB 128 Test Methods for Semiconductor Discrete Devices | 规定了半导体分立器件各类试验（如可焊性、热冲击、寿命等）的具体方法和条件。 |
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| 电流表 未提及 | 用于测试集电极-发射极击穿电压时测量电流，接头之间可视为短路或需校正压降。 |
| 电压表 未提及 | 用于测试集电极-发射极击穿电压时测量电压。 |
