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半导体分立器件.2EY621、2EY622、2EY623型体效应二极管详细规范

Semiconductor discrete device.Detail specification for Gunn diodes for type 2EY621,2EY622,2EY623


标准号
SJ 50033/107-1996
发布
1996年
国际标准分类(ICS)
31.080.10 二极管   
总页数
8页
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ 50033/107-1996
 
 
 
 
本体
普军级 特军级
适用范围
本规范规定了 2EY621、2EY622、2EY623 型体效应二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。本规范根据器件质量保证等级进行分类。按 GJB 33-85《半导体分立器件总规范》第 3 条的规定,提供的质量保证等级为普军级、特军级、超特军级,分别用 GP、GT、GCT 表示。
体效应二极管
Gunn diode
一种利用体效应原理工作的半导体微波器件,型号包括 2EY621、2EY622、2EY623,用于 W 波段小功率振荡。
普军级
GP
半导体分立器件质量保证等级之一,代表普通军用级。
特军级
GT
半导体分立器件质量保证等级之一,代表特种军用级。

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未提及
用于进行电老炼、筛选及各项检验测试的美利体育官网首页网址,具体条件见规范表 1、表 2 及表 3。

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