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GD218型InGaAs/InP PIN 光电二极管详细规范

Detail specification for InGaAs/InP PIN photodiode for type GD 218


标准号
SJ 50033/102-1995
发布
1996年
国际标准分类(ICS)
31.260 光电子学、激光美利体育官网首页网址   
总页数
11页
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ 50033/102-1995
 
 
引用标准
GJB 128-1986 GJB 33-1985
 
 
本体
暗电流 灵敏度
适用范围
本规范规定了军用 GD 218 型 InGaAs/InP PIN 光电二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
术语描述
暗电流
Dark current
在无光照条件下,光电二极管在反向偏置电压下流过的微小电流。
灵敏度
Sensitivity
光电二极管在特定波长和反向电压下,输出光电流与输入光功率的比值。
辐照度
Irradiance
单位面积上接收到的光功率。
峰值发射波长
Peak emission wavelength
光源发射光谱中强度最大的波长。
负载电阻
Load resistance
连接在光电二极管输出端的电阻,用于将光电流转换为电压信号。

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光电二极管测试系统

符合 SJ 2354 标准
用于测试光电二极管的暗电流、灵敏度、电容、上升时间等光电特性的专用美利体育官网首页网址。

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