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GD218型InGaAs/InP PIN 光电二极管详细规范
Detail specification for InGaAs/InP PIN photodiode for type GD 218
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PyLoN-IR 线阵型InGaAs相机
普林斯顿仪器
高速InGaAs光电二极管
杭州谱镭光电技术有限公司
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- 标准号
- SJ 50033/102-1995
- 发布
- 1996年
- ICS
-
31.260
- 总页数
- 11页
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ 50033/102-1995
- 引用标准
- GJB 128-1986 GJB 33-1985
- 本体
- 暗电流 灵敏度
本规范规定了军用 GD 218 型 InGaAs/InP PIN 光电二极管（以下简称器件）的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
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| 光电二极管测试系统 符合 SJ 2354 标准 | 用于测试光电二极管的暗电流、灵敏度、电容、上升时间等光电特性的专用美利体育官网首页网址。 |