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GD218型InGaAs/InP PIN 光电二极管详细规范

Detail specification for InGaAs/InP PIN photodiode for type GD 218


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SJ 50033/102-1995

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标准号
SJ 50033/102-1995
发布
1996年
ICS
31.260
总页数
11页
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ 50033/102-1995
 
 
引用标准
GJB 128-1986 GJB 33-1985
 
 
本体
暗电流 灵敏度

本规范规定了军用 GD 218 型 InGaAs/InP PIN 光电二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

术语 
暗电流 Dark current
灵敏度 Sensitivity
辐照度 Irradiance
峰值发射波长 Peak emission wavelength
负载电阻 Load resistance

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光电二极管测试系统

符合 SJ 2354 标准
用于测试光电二极管的暗电流、灵敏度、电容、上升时间等光电特性的专用美利体育官网首页网址。

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