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美利体育登录入口官网:BS IEC 62899-503-3:2021
印刷电子产品 质量评估 印刷薄膜晶体管接触电阻的测量方法 转移长度法

Printed electronics. Quality assessment. Measuring method of contact resistance for the printed thin film transistor. Transfer length method


标准号
BS IEC 62899-503-3:2021
发布
2021年
国际标准分类(ICS)
29.045 半导体材料   
总页数
16页
发布单位
英国标准学会
当前最新
BS IEC 62899-503-3:2021
 
 
 
 
本体
接触电阻 薄膜晶体管
适用范围
本部分IEC 62899规定了通过转移长度法(TLM)测量印刷薄膜晶体管(TFT)接触电阻的方法。该方法需要制备具有不同源极和漏极之间沟道长度(L)的测试元件组(TEG)。该方法旨在评估TFT电极接触的质量,并适合确定接触电阻是否在所需范围内。
术语描述
接触电阻
contact resistance
印刷薄膜晶体管中电极与半导体层之间界面的电阻。
漏极电压
drain voltage
施加在漏极和源极(接地)之间的电压。
栅极电压
gate voltage
施加在栅极和源极(接地)之间的电压。
转移长度法
transfer length method
通过制备一组薄膜晶体管并测量其不同源极和漏极之间距离(即沟道长度L)的电阻来确定接触电阻的方法。
夹断电压
pinch-off voltage
电压达到|Vd|=|Vg|-|Vt|且|Vg|>|Vt|时的电压。

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电流表

精度±0.1%
用于测量漏极电流的仪器。

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