美利体育登录入口官网:SJ/T 2658.8-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 8: Radiant intensity
SJT2658.8-2015, SJ2658.8-2015
- 标准号
- SJ/T 2658.8-2015
- 别名
- SJT2658.8-2015, SJ2658.8-2015
- 发布
- 2015年
- 国际标准分类(ICS)
- 31.080 半导体分立器件
- 总页数
- 8页
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ/T 2658.8-2015
- 引用标准
- CIE 127-1997 GB/T 2900.65-2004 SJ/T 2658.1
- 被代替标准
- SJ 2658.8-1986
- 本体
- 探测系统 辐射强度
- 适用范围
- 本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。
| 半导体红外发射二极管 semiconductor infrared-emitting diode | 用于发射红外辐射的半导体器件，也称红外发射二极管。 |
| 辐射强度 radiant intensity | 单位立体角内的辐射功率。 |
| 探测系统 photometric detection system | 包括光阑和探测器的光学系统，用于测量辐射强度。 |
美利体育登录入口官网: SJ/T 2658.8-2015 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| 电流表 | 测量电流的仪表。 |
| 光度探测系统 | 包括光阑D1（面积A）、探测器以及消除杂散光的光栏D2、D3，用于测量辐射强度。 |
| 电流源 | 提供正向电流的电源，可产生脉冲或直流。 |
