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美利体育登录入口官网:SJ/T 2658.3-2015
半导体红外发射二极管测量方法.第3部分:反向电压和反向电流

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 3:Reverse voltage and reverse current

SJT2658.3-2015, SJ2658.3-2015


美利体育登录入口官网: SJ/T 2658.3-2015 发布历史

SJ/T 2658.3-2015由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 2015-10-10,并于 2016-04-01 实施。

SJ/T 2658.3-2015 在中国标准分类中归属于: L53 半导体发光器件,在国际标准分类中归属于: 31.080 半导体分立器件。

SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法.第3部分:反向电压和反向电流的最新版本是哪一版?

最新版本是 SJ/T 2658.3-2015 。

标准号
SJ/T 2658.3—2015
发布时间
2015-10-10
标准名称
半导体红外发射二极管测量方法 第 3 部分:反向电压和反向电流
发布机构
中华人民共和国工业和信息化部
编制依据
GB/T 1.1—2009
文件关系说明
本部分为SJ/T 2658的第3部分。
代替/废止文件关系
代替SJ/T 2658.3—1986
专利声明(未识别专利)
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
提出和归口信息
归口单位为工业和信息化部电子工业标准化研究院。
起草信息
起草单位:工业和信息化部电子工业标准化研究院。主要起草人:张戈、赵英。
版本历史
历次版本:SJ/T 2658.3—1986。
分部分标准的各部分关系
SJ/T 2658已发布或计划发布共16部分,本部分为第3部分。

SJ/T 2658.3-2015 发布之时,引用了标准

  • GB/T 15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
  • SJ/T 2658.1 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则

SJ/T 2658.3-2015的历代版本如下:

  • 2015年 SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法.第3部分:反向电压和反向电流
  • 0000年 SJ/T 2658.3-1986

 

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)反向电压和反向电流的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。

术语描述
反向电压
reverse voltage
通过器件的反向电流为规定值时,其两极间产生的电压降。

SJ/T 2658.3-2015

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标准号
SJ/T 2658.3-2015
别名
SJT2658.3-2015
SJ2658.3-2015
发布
2015年
ICS
31.080
总页数
8页
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ/T 2658.3-2015
 
 
引用标准
GB/T 15651-1995 SJ/T 2658.1
被代替标准
SJ/T 2658.3-1986

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直流电压表
用于测量反向电压的示值。
直流电流表
用于测量反向电流的示值。
稳压源
用于提供稳定的电压或电流,调节反向电流或反向电压至规定值。

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