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美利体育登录入口官网:SJ/T 11497-2015
砷化镓晶片热稳定性的试验方法

Test method for thermal stability testing of gallium arsenide wafers

SJT11497-2015, SJ11497-2015


标准号
SJ/T 11497-2015
别名
SJT11497-2015, SJ11497-2015
发布
2015年
国际标准分类(ICS)
29.045 半导体材料   
总页数
6页
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ/T 11497-2015
 
 
引用标准
SJ/T 11488
 
 
本体
退火
适用范围
本标准规定了半绝缘砷化镓(GaAs)晶片热稳定性的试验方法。本标准适用于电阻率在104Ω·cm~109Ω·cm范围半绝缘砷化镓单晶材料的热稳定性试验。
术语描述
保护退火
protection of annealing
在退火过程口使用保护层 (通常采用氮化硅或二氧化硅) 对砷化稼样品表面进行保护,从而减少砷蒸汽从样品的表面升华。
相邻退火
adjacent annealing
将样品置于两片相同的砷化铉之|`司进行退火,从而减少退火过程中砷蒸气从样品的表面损失。
热稳定性
thermal stability
样品退火试验前后的体积电阻率比值。

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退火炉
用于进行退火处理的美利体育官网首页网址,通常需具备精确的温度控制和良好的洁净度。

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