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美利体育登录入口官网:SJ/T 11487-2015
半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法

Non-contact measurement method for the resistivity of semi-insulating semiconductor wafer

SJT11487-2015, SJ11487-2015


标准号
SJ/T 11487-2015
别名
SJT11487-2015, SJ11487-2015
发布
2015年
国际标准分类(ICS)
29.045 半导体材料   
总页数
6页
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ/T 11487-2015
 
 
引用标准
GB/T 14264
 
 
本体
电阻率
适用范围
本标准规定了半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法。本标准适用于半绝缘砷化镓、磷化铟、碳化硅等高阻半导体材料电阻率的测量,电阻率的测量范围为105 Ω·cm~1012 Ω·cm。
术语描述
半绝缘半导体晶片
semi-insulating semiconductor wafer
指具有高电阻率的半导体晶片,通常用于特定电子器件中。
电容充放电
capacitive charging and discharging
通过电容器充放电行为来测量电阻率的一种方法。
弛豫时间
relaxation time
电容充放电过程中,电量变化的弛豫过程所需的时间。
时间常数
time constant
描述电容充放电过程时间特征的参数,与电阻率成正比。
相对介电常数
relative permittivity
材料的介电性质相对于真空的比值,常用于电阻率计算。

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电容式无接触半绝缘晶片电阻率测定仪

未明确
用于测量半绝缘半导体晶片电阻率的美利体育官网首页网址,基于电容充放电原理实现非接触测量。

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