美利体育登录入口官网:DIN EN 62047-5:2012
半导体器件.微电机装置.第5部分:射频(RF)微电子机械系统(MEMS)开关(IEC 62047-5-2011).德文版本 EN 62047-5-2011
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 5: RF MEMS switches (IEC 62047-5:2011); German version EN 62047-5:2011
- 标准号
- DIN EN 62047-5:2012
- 发布
- 2012年
- 国际标准分类(ICS)
- 31.080.01 半导体器分立件综合 31.220.01 机电元件综合
- 总页数
- 37页
- 发布单位
- 德国标准化学会
- 替代标准
- DIN EN 62047-5:2012-03
- 当前最新
- DIN EN 62047-5:2012-03
- 引用标准
- IEC 60747-16-1 IEC 60747-16-4:2004 IEC 60747-1:2006 IEC 60749-10 IEC 60749-12 IEC 60749-27 IEC 60749-5
- 被代替标准
- DIN IEC 62047-5:2008
- 本体
- 微机电系统
- 适用范围
- 在IEC 62047的此部分中，规定了用于评估和确定高频微机电系统开关（RF MEMS开关）的关键特性和特征特性的术语、定义、符号和测试方法。本标准的定义也适用于具有不同结构形式、开关触点（导电或电容式）、开关配置（串联或旁路）、开关网络功能（单刀单掷、单刀双掷、双刀双掷等）以及驱动机构（如静电、电热、电磁、压电等）的高频MEMS开关。高频MEMS开关在现代多频段/多模式移动手机、雷达微型系统、可配置的高频美利体育官网首页网址和系统、SDR（软件定义无线电）电话、测量美利体育官网首页网址、可调美利体育官网首页网址和系统、卫星等领域的应用前景广阔。
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 电容式开关 capacitive switch | 通过移动金属板相对于固定金属板上介电层的电容效应改变阻抗比，从而通过或阻断高频信号的开关。 |
| 导电开关 galvanic switch | 利用可移动金属接触点通过或阻断高频信号的开关。 |
| 串联开关 series switch | 当可动板与固定板接触时，将输入端施加的高频信号直接传输到输出端的开关。 |
| 旁路开关 shunt switch | 当可动板与固定板接触时，将输入端施加的高频信号引导至地平面（GND）的开关。 |
| 静电驱动开关 electrostatically actuated switch | 通过静电引力将可动接触点拉向固定板的开关，当施加直流电压时闭合，断开电压时复位。 |
| 电磁驱动开关 electromagnetically actuated switch | 通过永磁体或电磁铁产生的磁力将可动板或衔铁拉向固定板的开关。 |
| 电热驱动开关 electrothermally actuated switch | 由两种或多种热膨胀系数不同的材料构成的可动板发生偏转，与固定板或电极接触的开关。 |
| 压电驱动开关 piezoelectrically actuated switch | 由压电材料制成的可动板发生偏转，与固定板或电极接触的开关。 |
| 单刀单掷开关 SPST (single-pole-single-throw) | 具有一个输入端和一个输出端的元件，在操作时实现开/关功能。 |
| 单刀双掷开关 SPDT (single-pole-double-throw) | 具有一个输入端和两个输出端的元件，在操作时将一个输出端的连接切换到另一个输出端。 |
| 双刀双掷开关 DPDT (double-pole-double-throw) | 具有两个输入端和两个输出端的元件，在操作时将每个输入端的连接切换到对应的另一个输出端。 |
| 开关寿命 switching life | 开关在满足电气功能要求（关于开/关位置）的情况下能够操作的开关次数。 |
| 冷开关 cold switching | 在开关过程中没有施加高频功率的开关操作。 |
| 热开关 switching under load | 在开关过程中施加高频功率的开关操作。 |
| 插入损耗 insertion loss | 开关在导通状态时，输入端与输出端之间的信号功率损耗，通常以分贝（dB）表示。 |
| 隔离度 isolation | 开关在断开状态时，输入端与输出端之间的信号功率抑制程度，通常以分贝（dB）表示，由辐射、电离或耦合引起。 |
| 回波损耗 return loss | 输入端口处反射功率与注入功率的比值，通常以分贝（dB）表示。 |
| 电压驻波比 VSWR | 传输线上电压最大值处的电场强度与相邻最小值处电场强度的比值。 |
| 功率处理能力 power handling | 开关在闭合状态下能够传输的指定功率的能力。 |
| 上升时间 rise time | 开关从打开（关）状态转换到闭合（开）状态所需的过渡时间。 |
| 下降时间 fall time | 开关从闭合（开）状态转换到打开（关）状态所需的过渡时间。 |
美利体育登录入口官网: DIN EN 62047-5:2012 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| 示波器 | 用于监测施加的功率和HF输出波形，以及测量开关寿命时的调制包络。 |
| 信号发生器 HF信号发生器 | 用于产生所需频率和功率的高频测试信号。 |
| 功率放大器 信号放大器 | 用于放大信号以驱动待测器件或测试其功率处理能力。 |
| 恒温器 Thermostat | 用于确保待测器件保持在特定温度范围内进行测试。 |
| 网络美利体育登录入口官网 矢量网络美利体育登录入口官网 (VNA) | 用于测量S参数、插入损耗、隔离度、回波损耗等高频特性的关键美利体育官网首页网址。 |
| 阻抗美利体育登录入口官网 | 用于测量开关在导通和断开状态下的阻抗，从而计算电阻和电容。 |
| 频谱美利体育登录入口官网 | 用于测量开关传输频谱和输出功率的仪器。 |
美利体育登录入口官网: DIN EN 62047-5:2012相似标准
LST EN 62047-5-2011 半导体美利体育官网首页网址 微机电美利体育官网首页网址 第5部分：RF MEMS 开关（IEC 62047-5:2011）
LVS EN 62047-5:2011 电子美利体育官网首页网址 微机电系统 第5部分：射频MEMS开关（IEC 62047-5:2011）
LST EN 62047-5:2011 半导体器件 微机电系统 第5部分：高频微机电系统开关（IEC 62047-5:2011）
MSZ EN 62047-5:2012 输入美利体育官网首页网址 微机电系统 第5部分：射频 MEMS 开关（IEC 62047-5:2011）
07/30172155 DC BS EN 62047-5 半导体器件 微机电美利体育官网首页网址 第5部分 RF MEMS 开关