美利体育登录入口官网:DIN EN 62416:2010
半导体器件.MOS晶体管的热载流子试验(IEC 62416-2010);德文版本EN 62416-2010
Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors (IEC 62416:2010); German version EN 62416:2010
- 标准号
- DIN EN 62416:2010
- 发布
- 2010年
- 国际标准分类(ICS)
- 31.080.30 三极管
- 总页数
- 12页
- 发布单位
- 德国标准化学会
- 替代标准
- DIN EN 62416:2010-12
- 当前最新
- DIN EN 62416:2010-12
- 引用标准
- IEC 62416:2010
- 本体
- 寿命估计 测试结构
- 适用范围
- 本文件规定了一种针对NMOS和PMOS晶体管在晶圆层面的“热载流子”（Hot-Carrier）测试方法。该测试方法旨在确定特定（C）MOS工艺中的单个晶体管是否符合所要求的热载流子寿命。
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| MOS Metal Oxide Semiconductor | 金属 - 氧化物 - 半导体 |
| NMOS n-channel MOS semiconductor | n沟道MOS半导体 |
| PMOS p-channel MOS semiconductor | p沟道MOS半导体 |
| (C)MOS Complementary MOS semiconductor | 互补MOS半导体 |
| L Gate length | MOS晶体管的多晶硅栅极长度 |
| W Gate width | MOS晶体管的多晶硅栅极宽度 |
| Lnominal Nominal minimum length | 根据工艺设计规则允许的最小L值 |
| Wnominal Nominal minimum width | 根据工艺设计规则允许的最小W值 |
| Ugs Gate-Source voltage | MOS晶体管的栅源电压 |
| Uds Drain-Source voltage | MOS晶体管的漏源电压 |
| Ubs Bulk-Source voltage | MOS晶体管的体（背栅）源电压 |
| Ids Drain-Source current | MOS晶体管的漏源电流 |
| Ib Substrate current | MOS晶体管的衬底电流 |
| Ig Gate current | MOS晶体管的栅极电流 |
| Ugs, stress Stress Ugs voltage | 热载流子测试应力期间的Ugs电压值 |
| Uds, stress Stress Uds voltage | 热载流子测试应力期间的Uds电压值 |
| Uds, use_max Maximum allowed Uds | 根据工艺设计规则和工程设计手册规定的最高允许Uds值 |
| Uds, breakdown Breakdown voltage | 发生（雪崩）击穿或穿通时的Uds值，定义为当Ids = 1.5 × Ids (at Uds, use_max) 且 Ugs = Uds, use_max 时的Uds电压 |
| Ut Threshold voltage | MOS晶体管的阈值电压，定义为当Ids = 0.01 × W / L (A) 时的Ugs电压。允许其他统一定义的Ut，只要明确说明即可。 |
| gm Transconductance | MOS晶体管的跨导（陡度） |
| gm, max Maximum transconductance | MOS晶体管的最大跨导（陡度） |
| Ids, sat Saturated drain-source current | 在Ugs = Uds = Uds, use_max条件下的饱和漏源电流 |
| Ids, sat_forward Forward saturated drain-source current | 当源极和漏极在应力期间具有相同极性时测量的Ids, sat |
| Ids, sat_reverse Reverse saturated drain-source current | 当源极和漏极在应力期间具有不同极性时测量的Ids, sat |
| L(MOST) Square MOS transistor length | 方形MOS晶体管的长度（L = W） |
| gm, max(MOST) Maximum transconductance of square MOS transistor | 方形MOS晶体管（L = W）的gm, max |
| τ Lifetime | MOS晶体管的寿命 |
| Leff Effective channel length | MOS晶体管的有效电学沟道长度；通过gm, max对大“方形”MOS晶体管（W = L >> Lnominal）进行测定 |
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| 测试系统 未提及 | 用于执行热载流子应力测试并测量晶体管参数（如Ids, Ib, Ig等）的电子美利体育官网首页网址。 |