美利体育登录入口官网:GB/T 24574-2009
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
Test methods for photolumininescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
GBT24574-2009, GB24574-2009
正版授权中国标准出版社正式授权销售可通过授权方官方渠道验证
- 标准号
- GB/T 24574-2009
- 别名
- GBT24574-2009, GB24574-2009
- 发布
- 2009年
- 国际标准分类(ICS)
- 29.045 半导体材料
- 总页数
- 12页
- 采用标准
- SEMI MF 1389-0704 MOD
- 发布单位
- 国家市场监督管理总局
- 当前最新
- GB/T 24574-2009
- 引用标准
- GB/T 13389 GB/T 24581
- 本体
- 单晶硅
- 适用范围
- 本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。
本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。
本标准用于美利体育登录入口官网单晶硅中含量为1×lO
at?cm ～5×10 at?cm 的各种电活性杂质元素。
美利体育登录入口官网: GB/T 24574-2009 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| 低温恒温器 开式循环液氦浸没、交换气体低温恒温器、闭合制冷系统 | 用于保持样品测试温度在4.2 K。 |
| 红外光谱仪 配有美利体育登录入口官网器，光响应范围在8750 cm??至9300 cm??之间，在9300 cm??处的分辨率为0.5 cm??。 | 用于测量光致发光谱。 |
| 激光器 输出可调，光束直径为2.5 mm。 | 激发硅单晶产生发射光谱。 |
美利体育登录入口官网: 其他标准
美利体育登录入口官网: 专题
美利体育登录入口官网: GB/T 24574-2009相似标准
美利体育登录入口官网: 推荐
热点应用丨傅里叶变换光致发光技术（FT-PL）在中红外发光材料测试中的应用
中红外发光材料中红外光致发光（MIR PL）光谱仪（使用激光或其他光源）被广泛应用于半导体和中红外发光材料的表征。MIR光谱范围有一些不同的界定，在实践中，中红外光致发光的研究多集中在2μm~25μm。主要有两种实验方式来测量PL光谱：色散和非色散。色散仪器在美利体育登录入口官网器之前，将光色散成单一的波长，通常...
高分辨率ICP-OES测试硫酸镍和硫酸钴中的杂质元素
挑战 硫酸镍和硫酸钴基体中准确测试低含量杂质， 进行定量控制 解决方案 高 分 辨 率 ICP-OES 采 用业界领先的高分辨率光学系统 、卓越的灵敏度和基体耐受性， 实现在三元材料原料中杂质元素分析 应用领域 锂离子电池行业正极材料美利体育登录入口官网 背景 锂离子电池技术的快速发展引发了电子和...
一套ICP-MS方法精确稳定测试ICH指导原则下的药物中24种元素杂质可行性分析
对于ICPMS来说，几十种元素同时测定对于仪器来说理论上是可行的，但是存在很多挑战。以ICH指导原则下的24种元素同时测定为例，做简要说明。首要问题是要考虑这些元素包括各自溶液里面含有的基体离子是否可以稳定共存。由于Ru，Pd，Au，Os，Pt等元素基体为盐酸，Ag这个氯离子会产生AgCl沉淀。很多...
质检总局公布271项国家标准(09年第12期
法 ? 2009-10-30 ? 2010-04-01 240 GB/T 24573-2009 金库和档案室门耐火性能试验方法 ? 2009-10-30 ? 2010-04-01 241 GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法...