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美利体育登录入口官网:GB/T 6621-2009
硅片表面平整度测试方法

Testing methods for surface flatness of silicon slices

GBT6621-2009, GB6621-2009


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GB/T 6621-2009

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标准号
GB/T 6621-2009
别名
GBT6621-2009
GB6621-2009
发布
2009年
ICS
29.045
总页数
6页
发布单位
国家市场监督管理总局
当前最新
GB/T 6621-2009
 
 
被代替标准
GB/T 6621-1995

本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参照此方法。 本标准适用于测量标准直径76mm,100mm,125mm,150mm,200mm,电阻率不大于200Ω?cm厚度不大于1000μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。

电容位移传感器 Capacitive Displacement Sensor
硅抛光片 Silicon Polishing Wafer

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电容位移传感器 用于测量硅片表面形貌变化的高精度传感器。

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