美利体育登录入口官网:GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
GBT6616-2009, GB6616-2009
2024-03
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- 标准号
- GB/T 6616-2009
- 别名
- GBT6616-2009
GB6616-2009 - 发布
- 2009年
- ICS
-
29.045
- 总页数
- 8页
- 采用标准
- SEMI MF673-1105 MOD
- 发布单位
- 国家市场监督管理总局
- 替代标准
- GB/T 6616-2023
- 当前最新
- GB/T 6616-2023
- 引用标准
- ASTM E691 GB/T 1552
- 被代替标准
- GB/T 6616-1995
本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm-1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。 硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0*10-3Ω?cm-2*1...