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美利体育登录入口官网:GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法

Test method for measuring resistivity of monocrystal silicom

GBT1551-2009, GB1551-2009

2021-12

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GB/T 1551-2009

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标准号
GB/T 1551-2009
别名
GBT1551-2009
GB1551-2009
发布
2009年
ICS
29.045
总页数
20页
采用标准
SEMI MF 397-1106 MOD
SEMI MF 84-1105 MOD
发布单位
国家市场监督管理总局
替代标准
GB/T 1551-2021
当前最新
GB/T 1551-2021
 
 
被代替标准
GB/T 1551-1995 GB/T 1552-1995

本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。 本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶电阻率有及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距的4倍的单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1×10Ω?cm~3×10Ω?cm。


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瑞柯微 低阻型四探针测试仪FT-361B

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品牌:瑞柯微

型号:FT-361

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