| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 绝对最大额定值 absolute maximum rating | 即使瞬间也不应超过的极限值。任何指定的值均不得超过。 |
| 存储温度 storage temperature | 在不施加供电电压和输入信号的情况下,激光二极管可以存储的环境温度允许范围。 |
| 环境温度 ambient temperature | 激光二极管所在的大气温度。 |
| 工作温度 operating temperature | 在指定电压或电流下确保二极管工作的环境温度或外壳温度。 |
| 阈值电流 threshold current | 二极管通过受激发射开始激光振荡的电流。 |
| 辐射功率 radiant power | 可以从光学输出端取出的光功率。在某些情况下,会指定测量的数值孔径(NA)。 |
| 工作电流 operating current | 可获得指定辐射功率的正向电流。 |
| 工作电压 operating voltage | 可获得指定辐射功率的正向电压。 |
| 阈值辐射功率 radiant power at threshold | 阈值电流下的辐射功率。 |
| 微分效率 differential efficiency | 关于工作电流下的光纤端辐射功率与阈值电流或高于阈值电流但远低于工作电流的电流下的辐射功率,该项表示辐射功率之差与电流之差的商。 |
| 纵模 longitudinal mode | 当沿光轴传播的振荡模式的光谱离散存在时的单个振荡光谱。当以单纵模进行振荡时,这种情况特别称为单纵模振荡。 |
| 模间距 mode spacing | 两个相邻纵模之间的波长差。 |
| 纵模数量 number of longitudinal modes | 纵模的总数。通常确定相对于峰值的某个比率,并计数强度不低于该比率的模式。 |
| 峰值发射波长 peak emission wavelength | 激光发射达到最大的波长。 |
| 中心发射波长 central emission wavelength | 发射光谱的中心波长,通过以下测量方法之一获得:(a) 包络法:连接各纵模峰值的包络线与具有指定比率的值相交时,最长波长与最短波长的平均值。(b) N-dB 法:在峰值发射波长两侧辐射功率显示指定比率的两点之间,纵模的最长发射波长与最短发射波长的平均值。(c) RMS 法:通过公式根据第 n 个纵模的光学电平 ($A_n$) 和发射波长 ($ $) 计算得出。 |
| 光谱带宽 spectrum bandwidth | 发射光谱的展宽,通过以下方法之一获得:(a) 包络法:连接各纵模峰值的包络线与具有指定比率的值相交时,长侧波长与短侧波长的差。(b) N-dB 法:光谱与纵模最大峰值的指定比率的光功率相交的两点之间的宽度(单模发射);或发射功率达到纵模最大峰值指定比率以上的纵模中,最长波长与最短波长的差(多模发射)。与等于最大峰值 50% 的发射光谱相关的宽度称为光谱半宽。(c) RMS 法:通过公式根据第 n 个纵模的光学电平 ($A_n$) 和发射波长 ($ $) 计算得出的波长宽度。 |
| 发射源尺寸宽度与高度 emission source seize width and height | 在激光二极管光学输出端,垂直于 ($ot$) 或平行于 ($//$) PN 结平面的方向上,光功率分布为峰值 50% 的两点之间的距离(半高全宽)。 |
| 两个指定平面内的半强度角 half-intensity angle in two specified planes | 在垂直于 (1) 或平行于 ($//$) PN 结平面的平面内,从激光二极管发射的光功率分布(有时称为场图案)中,光功率角分布为峰值 50% 的两点之间的角度差(全角半最大值)。 |
| 偏振比 polarization ratio | 平行于 PN 结平面的线偏振光分量光功率与垂直于该面的光功率之比。 |
| 边模抑制比 side-mode suppression ratio | 表示主要沿纵模发射的激光(如 DFB 激光器)的纵模唯一性的参数,表示为最大模式(主模)的光谱强度与第二大模式(边模)的比率。 |
| 光谱线宽 spectral linewidth | 单纵模发射时光谱线的波长展宽宽度。指光谱线中光功率等于光谱最大值指定比率的两个点之间的宽度,通常以频率表示。 |
| 上升时间 rise time | 光输出脉冲从最大值的 10% 增加到 90% 所需的时间。 |
| 下降时间 fall time | 光输出脉冲从最大值的 90% 降低到 10% 所需的时间。 |
| 开启时间 turn-on time | 施加电流脉冲的最大值的 10% 增加到输出光脉冲最大值的 90% 所需的必要时间间隔。 |
| 关闭时间 turn-off time | 施加电流脉冲的最大值的 90% 降低到输出光脉冲最大值的 10% 所需的必要时间间隔。 |
| 开启延迟时间 turn-on delay time | 施加电流脉冲的最大值的 90% 增加到输出光脉冲最大值的 90% 所需的必要时间间隔。 |
| 关闭延迟时间 turn-off delay time | 施加电流脉冲的最大值的 90% 降低到输出光脉冲最大值的 90% 所需的必要时间间隔。 |
| 截止频率 cut-off frequency | 在指定偏置点用小正弦信号调制产生的正弦调制辐射功率的幅度,在特性曲线足够平坦的低频区域下降 3 dB 时的频率。 |
| 相对强度噪声 relative intensity noise | 单位频率的光噪声强度与平均辐射功率之比。可以通过光电二极管等光接收元件和放大器测量和计算光波动,实际上是通过从指定频率测量的噪声中消除光接收元件的肖特基噪声和放大器的热噪声,计算所得余数与激光二极管的平均输出(通常由光电接收器的光电电流美利体育登录入口官网)及测量频带宽度的商。 |
| 高次谐波失真 higher harmonic distortion | 当激光二极管由正弦信号直接调制(模拟调制)时出现的 n 次高次谐波的电功率与正弦信号电功率之比。 |
| 复合二阶失真 composite second-order distortion | 当激光二极管由具有相同电功率和频率的系统排列的多通道正弦信号直接调制(模拟调制)时,出现二阶互调失真。该项表示出现在相同频率上的此类失真的总电功率与相邻一个通道的正弦信号电功率之比。然而,该项通常指其镜像带内单个通道的最大失真值。 |
| 复合三阶拍频失真 composite tripple-beat distortion | 当激光二极管由具有相同电功率和频率的系统排列的多通道正弦信号直接调制(模拟调制)时,出现三阶拍频互调失真。该项表示出现在相同频率上的此类失真的总电功率与相邻一个通道的正弦信号电功率之比。然而,该项通常指其镜像带内单个通道的最大失真值。 |
| 载噪比 carrier to noise ratio | 辐射功率的平均值与辐射功率波动幅度之比。 |
| 监控电流 monitor current | 通过对监控辐射功率进行光电转换获得的电流。 |
| 监控光电二极管暗电流 dark current of monitor photodiode | 当激光二极管不发光时,流过光学监控输出部分的电流。 |
| 监控光电二极管电容 monitor photodiode capacitance | 光电二极管端子之间的电容。 |
| 监控光电二极管上升时间 rise time of monitor photodiode | 光电二极管输出脉冲电流从最大值的 10% 增加到 90% 所需的时间。 |
| 监控光电二极管下降时间 fall time of monitor photodiode | 监控光电二极管输出脉冲电流从最大值的 90% 降低到 10% 所需的时间。 |
| 跟踪误差 tracking error | 在利用激光二极管系统内监控光电二极管的自动功率控制(APC)工作状态下,特定温度下的辐射功率记为 $P_{01}$,在通过指定的外壳或环境温度范围变化时出现的最大偏差辐射功率记为 $P_{02}$。该项表示 $P_{01}$ 与 $P_{02}$ 之比。或者,在上述 APC 工作状态下,在通过指定的外壳或环境温度范围变化时,最大辐射功率与最小辐射功率之比。 |
| 放大器 | 用于处理光电二极管输出的信号,测量相对强度噪声。 |
| 光电二极管 | 用于测量光功率波动和相对强度噪声的光接收元件。 |
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