美利体育登录入口官网:IEC 62951-3:2018
半导体器件 - 柔性和可拉伸半导体器件 - 第3部分:凸出下柔性基板上薄膜晶体管特性的评估
Semiconductor devices - Flexible and stretchable semiconductor devices - Part 3: Evaluation of thin film transistor characteristics on flexible substrates under bulging
- 标准号
- IEC 62951-3:2018
- 发布
- 2018年
- 国际标准分类(ICS)
- 31.080.99 其他半导体分立器件
- 总页数
- 26页
- 发布单位
- 国际电工委员会
- 当前最新
- IEC 62951-3:2018
- 引用标准
- IEC 60747-8 IEC 62047-17
- 本体
- 薄膜晶体管
- 适用范围
- IEC 62951的本部分规定了在膨胀情况下评估柔性基板上薄膜晶体管特性的方法。薄膜晶体管是在柔性基板上制造的，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）@聚酰亚胺（PI）@弹性体等。通过使用美利体育官网首页网址向柔性基板施加均匀分布的压力来施加应力。
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 柔性衬底 Flexible Substrate | 具有柔性的基材，薄膜晶体管制造于其上。 |
| 常数电流阈值电压 Constant Current Threshold Voltage | 定义为当漏极电流（Id）等于 0.1 微安乘以栅极宽度（W）时的栅极电压。 |
| 外推阈值电压 Extrapolated Threshold Voltage | 定义为跨导（gm）最大时对应的栅极电压，即 Id-Vgs 曲线斜率最大处的电压值。 |
| 饱和漏极电流 Saturated Drain Current | 当漏源电压（Vds）和栅源电压（Vgs）均等于推荐工作条件的典型供电电压时测得的漏极电流。 |
| 线性漏极电流 Linear Drain Current | 当漏源电压（Vds）在 0.05 伏至 0.1 伏之间，且栅源电压（Vgs）等于典型供电电压时测得的漏极电流。 |
| 线性迁移率 Linear Mobility | 从 Id-Vgs 曲线的斜率提取的迁移率，用于描述线性工作区载流子的移动能力。 |
| 饱和迁移率 Saturated Mobility | 从 Id-Vgs 曲线的斜率提取的迁移率，用于描述饱和工作区载流子的移动能力。 |
| 亚阈值摆幅 Sub-threshold Slope | 衡量美利体育官网首页网址中导电沟道形成效率的指标，定义为栅源电压变化量与漏极电流对数变化量的比值。 |
美利体育登录入口官网: IEC 62951-3:2018 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| 压力传感器 全量程精度 1%，非线性及滞后小于 0.5% | 用于监测和测量压力 chamber 内的压力，可安装在室内或连接管路中。 |
| 加热装置 热板或卤素灯 | 可选装置，用于在需要大变形时提高待测美利体育官网首页网址温度，降低柔性衬底的弹性模量。 |
| 吸收型机电测试美利体育官网首页网址 | 带有加热系统的吸收型电气和机械测试美利体育官网首页网址，用于测量薄膜晶体管的机电性能。 |
| 电气测量单元 输入阻抗至少 10^16 欧姆 | 用于测量薄膜晶体管的直流特性，具有足够的灵敏度以美利体育登录入口官网微安或飞安级别的电流。 |
| 膨胀型机电测试美利体育官网首页网址 | 带有加热系统的膨胀型机械和电气测量测试装置，用于对柔性衬底施加压力并测量其变形及晶体管特性。 |
| 高度测量单元 微米级分辨率，全量程精度优于 0.1% | 用于连续测量柔性衬底变形的高度，可采用激光干涉系统或电容式测量系统。 |
