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半导体分立器件.3DD164型功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete device.Detail specification for type 3DD164 power transistor
- 标准号
- SJ 50033/37-1994
- 发布
- 1994年
- 国际标准分类(ICS)
- 31.080.01 半导体器分立件综合
- 总页数
- 11页
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ 50033/37-1994
- 引用标准
- GJB 128-1986 GJB 33-1985
- 本体
- 半导体分立器件 质量保证等级
- 适用范围
- 本规范规定了 3DD164 型功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。本规范根据器件质量保证等级进行分类。按 GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母 GP、GT 和 GCT 表示。
| 3DD164 型功率晶体管 3DD164 power transistor | 一种半导体分立器件，其设计、结构和外形尺寸需符合本规范及 GJB 33 的规定，适用于研制、生产和采购，并根据质量保证等级分为普军、特军和超特军三级。 |
| 半导体分立器件 Semiconductor discrete device | 指具有独立功能的半导体元件，如晶体管，其测试、外形尺寸、试验方法等需遵循相关国家标准和军用标准。 |
| 质量保证等级 Quality assurance grade | 根据 GJB 33 规定，将器件分为普军（GP）、特军（GT）和超特军（GCT）三个等级，用于区分器件的质量要求和筛选测试标准。 |
美利体育登录入口官网: SJ 50033/37-1994 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| 电流表 | 用于测试集电极 - 发射极击穿电压时，测量测试电流的仪器，其接头之间可视为短路或需对压降进行校正。 |
| 电压表 | 用于测试集电极 - 发射极击穿电压时，测量施加电压的仪器。 |
