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半导体分立器件.CSO467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete device.Detail specification for type CSO467 GaAs microwave FET
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- 标准号
- SJ 50033/42-1994
- 发布
- 1994年
- ICS
-
31.080.99
- 总页数
- 12页
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ 50033/42-1994
- 本体
- 普军级 特军级
本规范规定了 CS0467 型砷化镓微波场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。本规范根据器件质量保证等级进行分类。器件的等级按 GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3 条的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军三级，分别用字母 GP、GT 和 GCT 表示。
| CS0467 型砷化镓微波场效应晶体管 | Type CS0467 GaAs Microwave FET |
| 普军级 | GP Grade |
| 特军级 | GT Grade |
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| 功率计 | 用于测量输入功率 P1 和输出功率 P2，以计算输出功率和功率增益。 |
| 射频发生器 | 用于将频率调到规定值，进行输出功率和功率增益测量。 |
| 频谱美利体育登录入口官网 | 用于在测量时检查输入输出匹配电路，使振荡降低。 |