发布时间:2026-05-25
外延层:半导体技术中与基底晶格常数相同的半导体材料层,通过外延工艺生长形成,用于制造高性能半导体器件的关键结构层。
外延层相关标准共11份,包含现行有效、已替代、已作废等。
在国际标准分类中,外延层涉及到的分类有:金属材料机械试验等。
外延层涉及到的各类执行标准、规范如下(标准的数量,基本排除已被替代的标准,下同):
| 试验标准 | 未分类 | 规范标准 | 分类标准 |
|---|---|---|---|
| 4 | 3 | 2 | 2 |
以下国家标准机构或者组织发布了外延层相关的标准规范,统计数据如下:
| 美国材料与试验协会 | 国家市场监督管理总局 | 国际电工委员会 | 英国标准学会 | 中国团体标准 | 俄罗斯标准局 | 其它 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 4 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 2 |
外延层都有哪些执行标准、规范?
| 标准号 | 标准名称 | 发布机构 |
|---|---|---|
| GB/T 35310-2017 | 200mm硅外延片 | 国家市场监督管理总局 |
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 中国团体标准 |
试验中涉及到外延层的执行标准有哪些?
| 标准号 | 标准名称 | 发布机构 |
|---|---|---|
| ASTM F95-89(2000) | 采用红外分散式分光光度计测定重掺杂硅衬底上的轻掺杂硅外延层厚度的标准试验方法 | 美国材料与试验协会 |
| ASTM F108-88e1 | 硅外延层电阻率的测定-三探针电压击穿法 | 美国材料与试验协会 |
| ASTM F525-00a | 使用扩散电阻探针测量硅片电阻率的标准测试方法 | 美国材料与试验协会 |
| ASTM F391-02 | 用测量稳态表面光电压测定外延半导体材料中少数载流子扩散长度的试验方法 | 美国材料与试验协会 |
外延层在哪些分类标准中有说明?
| 标准号 | 标准名称 | 发布机构 |
|---|---|---|
| IEC 63068-1:2019 | 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第1部分:缺陷分类 | 国际电工委员会 |
| BS IEC 63068-1:2019 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷无损识别标准 缺陷分类 | 英国标准学会 |
以下标准未给出明确分类。
| 标准号 | 标准名称 | 发布机构 |
|---|---|---|
| GOST R 71334-2024 | epitaxial 结构 基于红外干涉的石英在 Sapphire 上的结构中 epitaxial 层厚度测量方法 | 俄罗斯标准局 |
| SEMI MF374-0312(R0718)-2018 | 使用单配置四探针法测量硅外延、扩散、多晶硅及离子注入层方阻的测试方法 | |
| GJB 1209-1991 | 微电路生产线认证用试验方法和程序 | 国家军用标准-国防科工委 |
| 机构代码 | 机构名称 | “外延层”标准数量 | 类型 |
|---|---|---|---|
| CN-GB | 国家市场监督管理总局 | 1 | 规范 |
| US-ASTM | 美国材料与试验协会 | 4 | 试验 |
| IX-IEC | 国际电工委员会 | 1 | 分类 |
| GB-BSI | 英国标准学会 | 1 | 分类 |
| CN-TUANTI | 中国团体标准 | 1 | 规范 |
| RU-GOST | 俄罗斯标准局 | 1 | 其它 |
| / | 1 | 其它 | |
| CN-GJB-K | 国家军用标准-国防科工委 | 1 | 其它 |
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